Tag Archives: 第四代半導(dǎo)體

金剛石功率器件要來了！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 18 日 18:28 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導(dǎo)體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結(jié)構(gòu)金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內(nèi)文]

15億+19.2億，鑫磊半導(dǎo)體接連簽約兩大項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 16 日 16:51 | 分類 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)東鄉(xiāng)縣融媒體中心官方消息，5月14日，在浙江省杭州市舉行的甘肅省重點產(chǎn)業(yè)招商推介會上，東鄉(xiāng)縣與杭州鑫磊半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鑫磊半導(dǎo)體）簽訂了大尺寸集成電路金剛石基片生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議。 該項目規(guī)劃總投資15億元，計劃購置200套第四代半導(dǎo)體的研發(fā)、檢測、分析、測試...  [詳內(nèi)文]