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羅姆確立新技術(shù),更好地激發(fā)GaN等高速開(kāi)關(guān)器件性能

作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN
近日,羅姆(ROHM)宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù),利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。 Source:羅姆 近年來(lái),GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用,然而,如何提高控制IC(負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制)的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]