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鎵和半導體推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底、首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)

作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 26 日 17:30 | 分類 企業(yè)
在近日召開的“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”上,北京鎵和半導體有限公司(下文簡稱“鎵和半導體”)推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。 在鎵和半導體展臺上,現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸(100)(001)(-201)三種晶面單晶襯底,U...  [詳內(nèi)文]