相關(guān)資訊:碳化硅

四個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展,投產(chǎn)/封頂/簽約落地…

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 26 日 11:52 | 分類 碳化硅SiC
近期,碳化硅相關(guān)領(lǐng)域項(xiàng)目進(jìn)展不斷,從天水的碳化硅項(xiàng)目點(diǎn)火投產(chǎn),到博來納潤 CMP 材料項(xiàng)目封頂,再到智新半導(dǎo)體 SiC 模塊封裝產(chǎn)線取得新進(jìn)展,以及高裕電子簽約落地第三代半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備生產(chǎn)基地項(xiàng)目,各項(xiàng)目紛紛迎來重要節(jié)點(diǎn)。 總投資24.7億元天水一碳化硅項(xiàng)目點(diǎn)火投產(chǎn) 據(jù)天水...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電:6-8英寸碳化硅襯底批量出貨

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 26 日 11:48 | 分類 碳化硅SiC
近日,晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市場進(jìn)一步提升,并在功率半導(dǎo)體設(shè)備和先進(jìn)制程設(shè)備端快速實(shí)現(xiàn)市場突破。 公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售,12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國內(nèi)頭部封...  [詳內(nèi)文]

格力董明珠透露碳化硅工廠進(jìn)展

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 25 日 16:44 | 分類 碳化硅SiC
央視視頻消息,近日,格力電器董明珠回應(yīng)外界對格力造芯片的質(zhì)疑,并談到了格力建設(shè)的碳化硅(SiC)工廠。 董明珠表示,格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠,整個(gè)芯片的制造過程是自己完成的。在芯片工廠制造的過程中,格力解決了一個(gè)最大的問題。 “傳統(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設(shè)備都是進(jìn)口的,...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技:碳化硅等先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目將于2025年建成投產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 21 日 15:55 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期,珂瑪科技在投資者互動(dòng)平臺表示,公司先進(jìn)陶瓷材料零部件在泛半導(dǎo)體等多個(gè)下游領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,客戶需求增長迅速,訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項(xiàng)目“先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目”將于本年建成投產(chǎn),預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示,珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 21 日 15:44 | 分類 碳化硅SiC
近期,江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司成功獲得了一項(xiàng)名為”兩用碳化硅晶片倒角機(jī)”的專利,根據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局的消息顯示,該專利的申請日期為2024年5月,授權(quán)公告號為CN222493441U。 專利摘要顯示,本實(shí)用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī),包括:轉(zhuǎn)軸,轉(zhuǎn)...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)一第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約杭州

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 14:41 | 分類 碳化硅SiC
2月14日,浙江杭州西湖區(qū)成功舉辦2025年一季度重大項(xiàng)目集中推進(jìn)暨重點(diǎn)招商項(xiàng)目集中簽約活動(dòng)。 本次活動(dòng)中,19個(gè)重大項(xiàng)目集中推進(jìn),總投資規(guī)模達(dá)約107億元,年度計(jì)劃投資約23億元,涵蓋多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域,為區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。 其中,杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可...  [詳內(nèi)文]

晶升股份:公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:57 | 分類 碳化硅SiC
近日,晶升股份在接待機(jī)構(gòu)投資者調(diào)研時(shí)表示,由于碳化硅盲盒生長的特點(diǎn),晶體生長過程中無法進(jìn)行實(shí)時(shí)觀測,因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進(jìn)行分析和學(xué)習(xí)。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸,通過引入可視化檢測系統(tǒng)可使長晶過程看得見,為數(shù)據(jù)采集提供了扎實(shí)的設(shè)備基礎(chǔ),也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 11:30 | 分類 碳化硅SiC
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,近期江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司取得一項(xiàng)名為“兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)”的專利。 專利摘要顯示,本實(shí)用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī),包括:轉(zhuǎn)軸,轉(zhuǎn)軸內(nèi)設(shè)有抽氣管道;打磨臺本體,打磨臺本體與轉(zhuǎn)軸可拆卸地相連,打磨臺本體具有第一氣道和支氣體通道,支氣體通道設(shè)...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年,印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期,外媒報(bào)道,印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露,首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相,同時(shí),印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉,印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域,近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體需求與日俱增,也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期,市場傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資,涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日,“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]