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解決“進口”依賴,突破sic晶體長厚的關鍵材料是什么?

作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 12 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
“一次傳質”工藝是采用一次傳質的新熱場,傳質效率提高且基本恒定,降低再結晶影響(避免二次傳質),有效降低了微管或其它關聯(lián)晶體缺陷。平衡氣相組分,隔斷微量雜質,調節(jié)局部溫度,減少碳包裹等物理性顆粒,在滿足晶體可用的前提下,晶體厚度大幅增加,是解決晶體長厚的核心技術之一。 恒普科技在...  [詳內文]