今日，江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價(jià)格24.21元/股，發(fā)行市盈率為412.24倍。
截至收盤，微導(dǎo)納米漲13.38%，每股報(bào)27.45元，總市值達(dá)124.7億元。
1、寧德系資本2.2億元入股
微導(dǎo)納米以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，主要從事先進(jìn)微、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向下游客戶提供先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備、配套產(chǎn)品及服務(wù)。
2020年12月24日，微導(dǎo)納米股改后第二次增資引入了馮源繪芯、錦潤(rùn)博納、聚隆景潤(rùn)、問鼎投資、瑞庭投資。此次增資價(jià)格為每股147.48元，問鼎投資、瑞庭投資合計(jì)認(rèn)購(gòu)微導(dǎo)納米約149萬股，共出資約2.2億元。
其中，問鼎投資、瑞庭投資均為寧德系資本。寧德時(shí)代的實(shí)際控制人曾毓群、李平控制了問鼎投資100%的股權(quán)，瑞庭投資也為曾毓群實(shí)際控制，2021年1月瑞庭投資將所持有的微導(dǎo)納米股份被轉(zhuǎn)讓給瑞華投資，兩家公司均為曾毓群所實(shí)際控制的企業(yè)。
2、募資10億，擴(kuò)大產(chǎn)能
2019年-2021年，微導(dǎo)納米分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入21,581.56萬元、31,255.41萬元、42,791.71萬元。其中，專用設(shè)備是其最大的營(yíng)收來源。據(jù)悉，微導(dǎo)納米的專用設(shè)備產(chǎn)品主要包括ALD設(shè)備、PECVD設(shè)備、PEALD二合一平臺(tái)設(shè)備。
其中，“基于原子層沉積技術(shù)的光伏及柔性電子設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目”擬基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，開發(fā)適用于光伏、柔性電子的ALD設(shè)備，新增年產(chǎn)120臺(tái)ALD設(shè)備的生產(chǎn)能力；
“基于原子層沉積技術(shù)的半導(dǎo)體配套設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目”擬基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，開發(fā)適用于半導(dǎo)體的ALD設(shè)備，新增年產(chǎn)40套ALD設(shè)備；
“集成電路高端裝備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中心項(xiàng)目”的建設(shè)則可以推動(dòng)基于ALD技術(shù)的集成電路高端制造裝備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
3、進(jìn)軍先進(jìn)化合物半導(dǎo)體ALD設(shè)備領(lǐng)域
據(jù)了解，微導(dǎo)納米的產(chǎn)品率先用于光伏電池片生產(chǎn)過程中的薄膜沉積環(huán)節(jié)，隨后又開發(fā)了對(duì)技術(shù)水平和工藝要求更高的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，目前已先后獲得多家知名半導(dǎo)體公司的商業(yè)訂單，并實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備在28nm集成電路制造關(guān)鍵工藝（高介電常數(shù)柵氧層材料沉積環(huán)節(jié)）中的突破。
微導(dǎo)納米還與多家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商及驗(yàn)證平臺(tái)簽署了保密協(xié)議并開展產(chǎn)品技術(shù)驗(yàn)證等合作，針對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積各細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域研發(fā)試制新型ALD設(shè)備。
近日，微導(dǎo)納米為國(guó)內(nèi)某化合物半導(dǎo)體制造標(biāo)桿企業(yè)定制的先進(jìn)ALD裝備成功發(fā)貨，設(shè)備各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際同行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這標(biāo)志著微導(dǎo)納米率先邁出國(guó)產(chǎn)ALD裝備進(jìn)軍先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納器件制造市場(chǎng)的堅(jiān)實(shí)步伐。
目前，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表，其應(yīng)用已延伸至5G基建、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，迅速成為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略發(fā)展方向之一。在市場(chǎng)規(guī)模日漸擴(kuò)大的情況下，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納制造技術(shù)不斷迭代更新，全球市場(chǎng)對(duì)ALD技術(shù)的需求也愈發(fā)顯著。
此次微導(dǎo)納米創(chuàng)新開發(fā)的專用于微納制造的先進(jìn)ALD裝備，具備傳統(tǒng)薄膜沉積技術(shù)難以企及的原子級(jí)厚度精準(zhǔn)控制、優(yōu)異的薄膜厚度均勻性以及高保形性等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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