三菱電機昨（14）日宣布，為響應快速增長的電動汽車SiC功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等，三菱電機將增產高效節(jié)能的碳化硅功率半導體。
計劃主要包含兩部分，一方面是投資約1000億日元，其中大部分將用于建設新的8英寸SiC晶圓廠，并加強相關生產設施。新工廠將在熊本縣石井地區(qū)擁有一個自有設施，生產大直徑8英寸SiC晶圓，并引入一個具有先進能源效率和高自動化生產效率的潔凈室。另外，三菱電機還將加強其6英寸SiC晶圓的生產設施，以滿足市場不斷增長的需求。
另一方面，三菱電機還將投資約100億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區(qū)的業(yè)務，用于功率半導體的組裝和檢測。
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根據這一計劃，預計2026年三菱電機的晶圓產能將大幅增加，達到2022年度的5倍。此外，三菱電機還提出到2025年度將功率半導體銷售額提高到2400億日元、比2021年度增長34％的目標，而營業(yè)利潤率的目標是達到10％。
而在2021年11月，三菱電機舉行功率器件業(yè)務的業(yè)務說明會時，曾表示將在未來五年內向功率半導體業(yè)務投資1300億日元。本次增資擴產計劃的提出意味著三菱電機在2021年-2025年度之間，對功率半導體事業(yè)的投資計劃翻番，達到約2600億日元。
據悉，三菱電機于2010年開始量產碳化硅功率半導體。2021年，三菱電機碳化硅功率半導體的全球份額排在第6名，而在日本企業(yè)中則僅次于排在第4名的羅姆。（文：集邦化合物半導體 Winter整理）
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