3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開(kāi)幕?，F(xiàn)場(chǎng)展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動(dòng)器件、新能源產(chǎn)品、消費(fèi)類電源、智能化設(shè)備等領(lǐng)域。
據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解到，此次展會(huì)，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、Power integrations、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)、能華半導(dǎo)體、潤(rùn)新微電子、GaN systems、鎵未來(lái)、聚能創(chuàng)芯、威兆半導(dǎo)體、芯干線、漢驊半導(dǎo)體、氮矽科技等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會(huì)上展示了以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）為核心的最新研發(fā)成果和尖端技術(shù)。
01、英諾賽科
作為國(guó)內(nèi)出貨量第一的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科在現(xiàn)場(chǎng)展出了全系列氮化鎵產(chǎn)品與方案，應(yīng)用范圍涵蓋高效快充、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、戶外儲(chǔ)能電源、數(shù)據(jù)中心及及汽車電子等。
值得一提的是，英諾賽科針對(duì)數(shù)據(jù)中心供電解決方案做了全面的布局，可以為行業(yè)提供從前端PSU電源到主板DC/DC模塊以及芯片的直接供電，提高供電鏈路的功率密度和效率，實(shí)現(xiàn)供電轉(zhuǎn)換損耗整體減小50%。
此外，英諾賽科日前推出的采用TO252 / TO220封裝新品也“閃現(xiàn)”展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)。采用TO產(chǎn)品的氮化鎵120W大功率快充及適配器方案也一并展示，吸引諸多關(guān)注。
據(jù)了解，英諾賽科于2021年成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，2022年銷量成功突破1億。
02、納微半導(dǎo)體
納微帶來(lái)了最新的GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片解決方案、榮獲CES創(chuàng)新大獎(jiǎng)的GaNSense? 技術(shù)以及GaNFast?功率芯片解決方案。
搭載了GaNSense?技術(shù)的GaNFast?氮化鎵功率芯片，集成了氮化鎵功率器件、驅(qū)動(dòng)、控制、額外的自動(dòng)保護(hù)以及無(wú)損電流檢測(cè)，帶來(lái)最簡(jiǎn)單、最輕便、最快速以及更強(qiáng)勁的充電性能。借助最新的超快充技術(shù)，一個(gè)小巧、簡(jiǎn)便的150W氮化鎵充電器，就能讓智能手機(jī)在20分鐘內(nèi)完成從1-100%的充電。
目前，憑借著互補(bǔ)的GaNFast?和GeneSiC?技術(shù)，納微半導(dǎo)體已成為下一代電源領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。
03、Power Integraions
展會(huì)上，Power Integraions帶來(lái)了采用PowiGaN氮化鎵技術(shù)的最新技術(shù)產(chǎn)品，包含InnoSwitch4-Pro電源開(kāi)關(guān)IC。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括IoT智能家居、電動(dòng)工具&電單車、USB PD充電器/適配器、家用電器等。
其中，會(huì)上展出的140W適用于USB PD3.1擴(kuò)展功率范圍的充電器中采用了PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的輸出，其750V耐壓的氮化鎵開(kāi)關(guān)大大提升了產(chǎn)品的可靠性及耐受雷電沖擊的能力。得益于氮化鎵開(kāi)關(guān)的高效率，這款充電器的滿載效率可達(dá)95%。
04、芯塔電子
本次展會(huì)，芯塔電子集中展示了碳化硅全系產(chǎn)品和技術(shù)，包括具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圓和可用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、PD快充電源、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等。
芯塔電子針對(duì)PD快充領(lǐng)域推出了DFN8*8和DFN5*6兩種封裝形式碳化硅二極管產(chǎn)品，助力高功率密度快充產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
此外，芯塔電子本次推出的DFN封裝系列產(chǎn)品目前已通過(guò)多家客戶的測(cè)試驗(yàn)證，并對(duì)部分客戶形成批量供貨。芯塔電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證均按照車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，技術(shù)參數(shù)可對(duì)標(biāo)國(guó)際一線公司的最新產(chǎn)品，滿足高端領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化替代需求。
據(jù)了解，芯塔電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。目前公司已完成一系列的產(chǎn)品研發(fā)和批量生產(chǎn)，逐漸形成較完整的功率器件產(chǎn)品體系，產(chǎn)品在高端電源領(lǐng)域通過(guò)驗(yàn)證，進(jìn)入了行業(yè)標(biāo)桿客戶，同時(shí)在軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域進(jìn)行了送樣和銷售。
05、潤(rùn)新微電子
潤(rùn)新微電子是華潤(rùn)微旗下的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延、晶圓及器件制造商，提供650V、900V全規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應(yīng)用覆蓋20W~18KW。
此次展會(huì)，公司展出了6英寸650V氮化鎵晶圓和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封裝形式的氮化鎵功率器件。內(nèi)阻覆蓋720mΩ~35mΩ。
據(jù)了解，潤(rùn)新微電子氮化鎵功率器件的特點(diǎn)是兼容標(biāo)準(zhǔn)MOS驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單；抗擊穿電壓高達(dá)1500V以上，使用安心。產(chǎn)品主要應(yīng)用于三電：電源、電機(jī)、電池，覆蓋電源管理、太陽(yáng)能逆變器、新能源汽車及高端電機(jī)驅(qū)動(dòng)等科技產(chǎn)業(yè)。
06、珠海鎵未來(lái)
鎵未來(lái)專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)，提供從30W到6000W的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案。目前已完成多輪融資，投資方包括珠?？苿?chuàng)投、大橫琴集團(tuán)、境成資本、禮達(dá)基金，融資金額過(guò)億。
會(huì)上，公司展出了6英寸氮化鎵晶圓、氮化鎵快充、DC-DC變換器、服務(wù)器導(dǎo)冷電源、LED電源等產(chǎn)品和方案。
07、GaN Systems
GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領(lǐng)域，該公司屬于先行者。
展會(huì)上，公司展出了受三星、戴爾、雷蛇 等全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)品牌所采用之氮化鎵快速充電器與適配器。
值得注意的是，3月初，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購(gòu)GaN Systems，雙方已就此達(dá)成最終協(xié)議。
08、泰科天潤(rùn)
泰科天潤(rùn)展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圓及PD電源、工業(yè)電源等應(yīng)用案例/方案。
其中，4000W逆變器方案的LLC頻率為90KHz-300KHz，效率為99%，具有效率高，1U標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱等優(yōu)點(diǎn).。方案采用了泰科天潤(rùn)生產(chǎn)的G3S06510B 碳化硅器件。
泰科天潤(rùn)湖南碳化硅6英寸線第一期年產(chǎn)能6萬(wàn)片碳化硅6英寸片，預(yù)計(jì)今年年底完成擴(kuò)產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)片碳化硅6英寸片。同期泰科天潤(rùn)位于北京的新研發(fā)總部和8英寸線也在布局，預(yù)計(jì)2025年完工，可實(shí)現(xiàn)10萬(wàn)片碳化硅8英寸片/年產(chǎn)能，更好的服務(wù)客戶，保障交付！
公司產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、 DC-DC等領(lǐng)域。產(chǎn)品規(guī)格涵蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內(nèi)絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。
09、基本半導(dǎo)體
會(huì)上，基本半導(dǎo)體展出了6英寸碳化硅JBS晶圓、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件和汽車及HPD碳化硅MOSFET模塊等產(chǎn)品。
基本半導(dǎo)體是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
公司研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，推出通過(guò)AEC-Q101可靠性測(cè)試的碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
10、瞻芯電子
公司展出了業(yè)界首創(chuàng)的CCM模式圖騰柱模擬PFC控制芯片、SiC MOSFET專用比鄰驅(qū)動(dòng)芯片，以及車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等產(chǎn)品。
其中，2.5kW圖騰柱PFC芯片（IVCC1102）獲得了第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)之優(yōu)秀產(chǎn)品創(chuàng)新獎(jiǎng)，得益于IVCC1102具備更快速、更精確、高可靠的模擬控制，故無(wú)需編程，使用簡(jiǎn)單，可助力電源方案快速定型并推向市場(chǎng)應(yīng)用。
瞻芯電子聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并為客戶提供一站式芯片解決方案。
近期，公司陸續(xù)發(fā)布了2款TOLL貼片封裝的650V SiC MOSFET，能能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設(shè)計(jì)的應(yīng)用要求。
此外，還量產(chǎn)了2款Si/GaN/IGBT通用柵級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1407A與1801A，能安全可靠地驅(qū)動(dòng)器件以高達(dá)數(shù)百kHz開(kāi)關(guān).
近年來(lái)，瞻芯電子屢受資本青睞。日前，公司完成數(shù)億元B輪融資，由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投，國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投。
11、能華半導(dǎo)體
能華半導(dǎo)體聚焦以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件。目前，公司的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。
展會(huì)上，能華半導(dǎo)體展出了36W、60W和65W適配器方案。據(jù)了解，基于能華氮化鎵功率器件的65W適配器方案，熱可靠性大為提高。
12、江西譽(yù)鴻錦
江西譽(yù)鴻錦主要從事高品質(zhì)氮化鎵（GaN）電子電力材料和高端光電材料的MOCVD外延生長(zhǎng)、芯片制造及相關(guān)器件封裝，是目前國(guó)內(nèi)僅有的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新型科技企業(yè)。
展會(huì)上公司展出了氮化鎵MOS、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵快充和氮化鎵適配器電源等一系列產(chǎn)品和方案。公司功率器件產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心，射頻器件用于5G通訊設(shè)備及個(gè)人5G終端等領(lǐng)域
13、威兆半導(dǎo)體
威兆半導(dǎo)體是專業(yè)從事分立器件系列的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的高科技企業(yè)，同時(shí)也是國(guó)內(nèi)少數(shù)于12英寸晶圓成功開(kāi)發(fā)功率分立器件的公司之一。
公司的產(chǎn)品主要為開(kāi)關(guān)電源充電器用的大功率MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管、超低壓降肖特基、快恢復(fù)二極管及器件模塊化應(yīng)用設(shè)計(jì)，致力于提高產(chǎn)品能效比。此外，公司還有一款 GaN芯片。
此次展會(huì)上，公司主要展出了PD快速充電器、無(wú)限充電器方案，以及主要應(yīng)用于手機(jī)電池、TWS電池、只能手表電池的CSP系列demo board。
14、聚能創(chuàng)芯
聚能創(chuàng)芯聚焦于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN），致力于打造GaN器件開(kāi)發(fā)與應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計(jì)算、5G通訊等提供國(guó)產(chǎn)化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延材料。
展會(huì)上，公司展出了6英寸硅基氮化鎵外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高頻快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。
GaN PD快充方案中，最大輸出功率240W，采用PFC+LLC架構(gòu)，滿載輸出效率95%，可拓展多路USB Type C輸出。
15、漢驊半導(dǎo)體
公司在會(huì)上展出了多種規(guī)格的外延片產(chǎn)品。其中，4英寸藍(lán)寶石基全色LED外延片（紅&藍(lán)），主要應(yīng)用于AR/VR領(lǐng)域；6英寸硅基氮化鎵功率電子外延片，主要應(yīng)用于下一代電力電子、功率器件。
據(jù)悉，漢驊半導(dǎo)體致力于先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品應(yīng)用于5G通訊、功率電子、Micro-LED全色顯示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他諸多關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景。
目前在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域已建成：約20000㎡廠區(qū)、5000㎡潔凈室，數(shù)十臺(tái)MOCVD，6/8英寸光電芯片-MEMS量產(chǎn)產(chǎn)線，是具備國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)的高端半導(dǎo)體閉環(huán)研發(fā)與生產(chǎn)基地。
16、芯干線
展會(huì)上，芯干線展出了碳化硅功率器件、650V氮化鎵功率器件和500W氮化充電模塊等產(chǎn)品和方案。
其中，500W氮化充電模塊解決方案采用芯干線X-GaN和X-SiC，目前已通過(guò)EMI傳導(dǎo)輻射測(cè)試，支持量產(chǎn)。
據(jù)悉，芯干線聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計(jì)研發(fā)。公司產(chǎn)品線包括增強(qiáng)型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導(dǎo)體電源模塊。為下游客戶提供先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方案和全面的技術(shù)支持，涵蓋消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)等各領(lǐng)域。
17、氮矽科技
氮矽科技成立于2019年4月，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、銷售及方案提供。
2020年3月，氮矽科技發(fā)布國(guó)內(nèi)首款氮化鎵超高速驅(qū)動(dòng)器DX1001，同年4月推出國(guó)內(nèi)多款量產(chǎn)級(jí)別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，進(jìn)軍PD快充行業(yè)。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應(yīng)用解決方案。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber）
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