近日，納微半導(dǎo)體宣布其下一代GaNFast?技術(shù)已獲近期發(fā)布的realme GT3（國內(nèi)為realme GT Neo5）隨機標(biāo)配的240W超快充充電器采用。
據(jù)悉，這款realme GT3標(biāo)配的SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來，分別用于CRM PFC和HFQR反激拓?fù)渲小?/p>
該充電器尺寸僅57 x 58 x 30 mm (99 cc)，重量為173g，功率密度達到了業(yè)界領(lǐng)先的2.42 W/cc。使用該充電器為GT3的4600mAh電池充電30秒，就能通話兩小時，僅需4分鐘左右就能充至50%，完全充電可在9分30秒內(nèi)完成。
每顆GaNFast?氮化鎵功率芯片將一顆高性能的GaN FET與GaN門極驅(qū)動集成在一起，實現(xiàn)前所未有的高頻及高效運行能力。升級后的GaNSense?技術(shù)更是帶來了實時、準(zhǔn)確的電壓、電流感測及智能的溫度控制。無損的電流檢測功能去除了外部的電流檢測電阻和熱點，極大地提升了系統(tǒng)效率。
此前，納微半導(dǎo)體公布了2022年業(yè)績，實現(xiàn)營收3790萬美元（約合人民幣2.64億元），同比增長60%；其中，Q4實現(xiàn)營收1230萬美元（約合人民幣8568萬元），同比增長68%，環(huán)比增長21%。
按美國通用會計準(zhǔn)則（GAAP）計算，全年毛利率為31.5%，同比下降13.5%，Q4毛利率為40.6%，同比下降3.7%。按非美國通用會計準(zhǔn)則（Non-GAAP）計算，全年毛利率為40.8%，同比下降4.6%，Q4毛利率為40.6%，同比下降3.7%。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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