今日早間，瀚薪科技宣布SiC MOSFET及SiC JBS產(chǎn)品通過AEC-Q101車規(guī)級認證。
據(jù)介紹，瀚薪科技第四代碳化硅二極管H4S120G020即1200V 20A TO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V 80mΩ TO-247-3在已通過廠內(nèi)AEC-Q101可靠性驗證的同時，再次取得第三方實驗室AEC-Q101車規(guī)認證。
瀚薪H4S JBS/MPS結(jié)構(gòu)肖特基二極管：H4S JBS(Junction Barrier Schottky)/MPS(Merged PiN Schottky)結(jié)構(gòu)肖特基二極管，進一步降低順向?qū)▔航岛头聪蚧謴碗娏鳎^續(xù)保持抗浪涌電流能力強的優(yōu)異特性，產(chǎn)品從650V至1200V全覆蓋，最大電流60A，最小電流2A，通用的標準封裝形式，完整符合充電樁、光伏逆變、服務器電源、通信電源、開關電源等產(chǎn)品所需。
瀚薪科技H2M第二代MOS管：H2M延續(xù)第一代H1M產(chǎn)品的優(yōu)越性能，低的Qg，Coss，RDSon等參數(shù)可最大程度減小開關和導通損耗，提升系統(tǒng)效率。推薦驅(qū)動電壓-5V/20V，最大耐受驅(qū)動電壓-10V/25V，保證門極可靠的開通和關斷。優(yōu)越的耐短路電流的能力，短路時間長達10us，提高系統(tǒng)的可靠度。
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此外，晶圓從4英寸升級為6英寸以提高產(chǎn)品良率和產(chǎn)能，晶圓背面采用減薄工藝，進一步降低熱阻。瀚薪科技表示，全系列量產(chǎn)的車規(guī)SiC MOSFET，從650V至1700V，內(nèi)阻最小可達20mΩ，產(chǎn)品型號豐富，適合各種應用。
實際上，瀚薪科技是國內(nèi)率先具備大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級碳化硅MOSFET的功率器件及模塊企業(yè)，二極管產(chǎn)品也已經(jīng)規(guī)模出貨給全球知名企業(yè)的本土公司，持續(xù)獲得投資市場和下游車企的認可，近兩年來完成了多輪融資，其中，車企方面，上汽和廣汽資本都投資了瀚薪科技。
不難發(fā)現(xiàn)，近些年來，國產(chǎn)SiC廠商加足了火力在車用SiC領域趕超國際廠商，在不同程度上取得了突破和實質(zhì)性進展，也積極與國內(nèi)下游車企聯(lián)動，共推國產(chǎn)新能源汽車轉(zhuǎn)型及SiC的國產(chǎn)化替代。
就器件及模塊領域而言，目前已有多家企業(yè)通過了車規(guī)級認證，產(chǎn)品已經(jīng)上車或正在推動上車，如三安和理想汽車，基本半導體和廣汽埃安、芯聚能與吉利等。目前，不少國產(chǎn)汽車已搭載國產(chǎn)SiC產(chǎn)品，在車企和供應鏈的共同推動下，國產(chǎn)SiC有望在國內(nèi)新能源汽車大潮下加速擴大市場占有率。（文：集邦化合物半導體 Jenny整理）
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