作為國際功率半導體龍頭廠商之一，英飛凌的動態(tài)備受市場關注，在相關行業(yè)扮演著重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半導體市場。
今年3月，英飛凌宣布擬收購GaN芯片龍頭GaN Systems一事便在第三代半導體領域引起巨大反響，不僅將GaN再次推到聚光燈之下，傳遞著GaN將加速在電動汽車、可再生能源等高壓高功率市場應用的積極信號，同時還預示著第三代半導體的競爭格局或生變。
近日，英飛凌又傳出新動向，表明了持續(xù)發(fā)力GaN功率器件市場的決心。
據(jù)外媒報道，英飛凌日前宣布，將主導一個由45家合作伙伴共同參與的歐洲聯(lián)合科研項目，立足歐洲供應鏈，開發(fā)從芯片到模塊的集成氮化鎵 (GaN) 功率設計。
據(jù)悉，該項目名稱為ALL2GaN，項目預算6000萬歐元，建設周期三年，旨在利用人工智能加強GaN功率技術的可持續(xù)性和安全供應鏈，聚焦于通過各種方式集成GaN芯片。值得注意的是，在英飛凌的菲拉赫工廠開發(fā)的集成工具箱包括單獨的GaN分立元件、高性能GaN模塊、芯片設計和新穎的片上系統(tǒng)集成方法。
報道指出，ALL2GaN項目參與者包括比利時微電子研究中心imec、Nexperia、愛立信等，項目成果將有助于歐洲芯片更快地集成到電信、數(shù)據(jù)中心和服務器場等應用中。（化合物半導體市場Jenny整理）
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