6月6日，在東南大學(xué)建校121周年紀(jì)念日上，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。
基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、符合市場與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)等項(xiàng)目的開展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。
01、揚(yáng)杰科技深耕功率半導(dǎo)體
除了此次與東南大學(xué)共建研發(fā)中心之外，揚(yáng)杰科技近期還表示，因公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，計(jì)劃與揚(yáng)州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元。
該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。項(xiàng)目位于揚(yáng)州市邗江區(qū)汽車產(chǎn)業(yè)園新甘泉東路 56 號。項(xiàng)目新建廠房 27,000 平方米，其中高潔凈車間（光刻區(qū)十級、操作區(qū)百級）的凈化裝修預(yù)計(jì)在 4,500 平方米。
此外，在去年6月，揚(yáng)杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標(biāo)的主要布局中高端功率器件。
今年2月，揚(yáng)杰科技又以2.94億元收購楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)，若收購成功，楚微半導(dǎo)體將成為揚(yáng)杰科技的子公司。
詳細(xì)來看，楚微半導(dǎo)體主要在8英寸生產(chǎn)工藝平臺生產(chǎn)及銷售半導(dǎo)體功率器件芯片，產(chǎn)品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產(chǎn)品拓展。
02、東南大學(xué)加速科研成果產(chǎn)業(yè)化
而東南大學(xué)方面，在近幾年來一支在加速科研技術(shù)成果的落地，與揚(yáng)杰科技成立研發(fā)中心是眾多落地項(xiàng)目之一。目前東南大學(xué)與不同企業(yè)共建來了25個(gè)校企聯(lián)合研發(fā)中心。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，東南大學(xué)還與紫金山實(shí)驗(yàn)室、南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司。
值得一提的是，去年12月，東南大學(xué)有兩項(xiàng)研究成果發(fā)表在電子器件領(lǐng)域頂會IEDM。第一項(xiàng)成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，東南大學(xué)副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。
報(bào)道了一種具有多深度氧化溝槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術(shù)（圖1），集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件，實(shí)現(xiàn)了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區(qū)的大幅縮短。采用MDOT技術(shù)能夠?qū)纹芍悄芄β市酒械墓β始壝娣e縮小約41%。
（來源：東大電子）
第二項(xiàng)成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，東南大學(xué)博士生張弛為論文第一作者。
報(bào)道了一種提高第三代功率半導(dǎo)體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩(wěn)定性的技術(shù)——p-GaN柵極混合接觸勢壘技術(shù)（圖2），利用勢壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑，有效抑制了傳統(tǒng)p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲”效應(yīng)，在維持器件低柵漏電特性的前提下增強(qiáng)了器件閾值穩(wěn)定性。
該技術(shù)使得器件在200V、400V反偏應(yīng)力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V；在重復(fù)非鉗位感性負(fù)載應(yīng)力沖擊下，閾值電壓漂移量僅為0.03V。
（來源：東大電子）
文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理
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