18億募資,科創(chuàng)板或?qū)⒃僭鲆患一衔镌O(shè)備廠

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 06 月 21 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

6月19日,上交所正式受理了拉普拉斯新能源科技股份有限公司(簡稱:拉普拉斯)科創(chuàng)板上市申請。

拉普拉斯此次IPO擬募資18億元,投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目,以及補(bǔ)充流動資金。

2020-2022年(簡稱:報(bào)告期內(nèi)),拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入分別為4072.33萬元、10358.14萬元和126,585.03萬元,對應(yīng)的凈利潤分別為-4599.63萬元、-5711.25萬元、11897.72萬元。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

拉普拉斯是一家領(lǐng)先的高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商,主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,其中熱制程設(shè)備主要包括硼擴(kuò)散、磷擴(kuò)散、氧化及退火設(shè)備等;鍍膜設(shè)備主要包括 LPCVD 和 PECVD 設(shè)備等;自動化設(shè)備為可以有效提升工藝設(shè)備生產(chǎn)效率的配套上下料設(shè)備。

在具體產(chǎn)品方面,拉普拉斯持續(xù)對高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備進(jìn)行開發(fā)與優(yōu)化,可適用于 SiC 基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝;公司 LPCVD 設(shè)備可滿足氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積技術(shù)的應(yīng)用需求,并適用于半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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