近期，天岳先進在投資者互動平臺表示，公司在上海臨港工廠已經(jīng)于2023年5月進入6英寸導電型產(chǎn)品交付階段，并獲得了英飛凌、博世等國際知名企業(yè)的合作。公司8英寸導電型產(chǎn)品也已具備量產(chǎn)能力。
隨著產(chǎn)品交付的順利進行，臨港工廠正處于產(chǎn)能產(chǎn)量將持續(xù)爬坡階段。得益于公司充足的訂單需求和廣泛的國內(nèi)外客戶基礎，臨港工廠第一階段30萬片的產(chǎn)能產(chǎn)量目標將比原計劃更早達成。
Source：拍信網(wǎng)
6英寸產(chǎn)能將擴大至96萬片/年
天岳先進在上海臨港擴建SiC項目，是由其全資子公司天岳半導體主導。5月消息，上海臨港新片區(qū)管理委員會對外公示了《關于“天岳半導體碳化硅半導體材料項目（調(diào)整）”》的環(huán)評審批意見。
根據(jù)環(huán)評審批意見公示，天岳半導體將通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設備、原輔材料和公輔環(huán)保設施等方式，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。調(diào)整后，6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴大至每年96萬片。
據(jù)了解，上海臨港項目于2021年確立，總投資25億元。彼時，天岳先進正在推進上市進程，其計劃募資20億元投向臨港項目的建設，擴充SiC半導體材料產(chǎn)能。該項目已于2022年3月成功封頂，并在最近開始交付。
值得注意的是，按照之前的規(guī)劃，臨港項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。而通過此次的產(chǎn)能調(diào)整，臨港項目產(chǎn)能將擴大220%，達96萬片/年。
訂單激增
天岳不斷擴產(chǎn)的壓力主要來自訂單量的激增。去年7月，天岳先進表示與某客戶簽訂了一份長期協(xié)議，約定2023年至2025年公司及上海天岳向合同對方銷售價值13.93億元的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品。
今年4月，天岳先進又在財報中披露，已經(jīng)與博世集團簽署長期協(xié)議。進入5月，在天岳先進上海臨港SiC工廠正式交付的同一天，天岳先進又宣布與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協(xié)議，將為英飛凌提供6英寸/8英寸SiC材料，其供應量預計將占到英飛凌長期需求量兩位數(shù)份額。
由于訂單的激增，天岳先進為了保證訂單交付以及產(chǎn)能提升的需要，一方面增加了原材料的儲備規(guī)模，另一方面也在積極探索新的技術。
液相法制備SiC技術
在本月初上海的Semicon展會中，天岳先進展示了其最新的液相法制備SiC技術。
該技術是選用石墨材料作為坩堝，同時將其作為碳源，在石墨坩堝中填充硅熔體，將SiC晶種放置在石墨坩堝頂部，與熔體接觸，控制晶種溫度略低于熔體溫度，利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體生長。生長一般在惰性氣體環(huán)境中進行（如Ar），生長溫度在1750-2100℃之間。為提高晶體生長速率，在生長過程中可調(diào)節(jié)石墨坩堝和種子晶體旋轉方向及旋轉速度。
通過液相法獲得均勻且高品質(zhì)晶體需要對溫場及流場進行控制，具有較高技術難度，天岳先進在該技術上布局多年。
液相法突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，能夠制造出了低缺陷的 8 英寸晶體。除了產(chǎn)品尺寸外，在大尺寸單晶高效制備方面，這項技術制備的晶體厚度已突破 60mm。（文：集邦化合物半導體 Jump整理）
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