近日，譽鴻錦半導(dǎo)體二期產(chǎn)業(yè)園項目廠房舉行了主體結(jié)構(gòu)封頂儀式，這標志著該公司GaN Super IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈的布局與建設(shè)取得重大進展。
譽鴻錦提出的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念，即“Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料+IDM+終端技術(shù)應(yīng)用+零售服務(wù)生態(tài)鏈”。 基于該產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合，實現(xiàn)上游設(shè)備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應(yīng)用終端快速導(dǎo)入和批量驗證，實現(xiàn)推動GaN產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標。
據(jù)介紹，譽鴻錦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目由江西譽鴻錦芯片科技有限公司投資開發(fā)建設(shè)，以GaN芯片研發(fā)與制造為中心，集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備材料、下游終端應(yīng)用，全面打造Super IDM產(chǎn)業(yè)集群。
該項目位于江西省撫州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)，總建筑面積約26.2萬㎡。項目于2022年7月正式開工建設(shè)，主體結(jié)構(gòu)提前1個月完成里程碑工期，二次結(jié)構(gòu)已提前施工，首條批量線預(yù)計于2024年底前建成，月產(chǎn)能為6-7萬片。項目全部建成投產(chǎn)后，每月產(chǎn)能將達到25萬片，屆時將成為全球最大的GaN IDM工廠。
作為一家2021年成立的新企業(yè)，譽鴻錦用1.5年實現(xiàn)了從建廠(一期產(chǎn)業(yè)園)到中試線穩(wěn)定產(chǎn)能1.5萬片，并且良率高達85%，一期產(chǎn)業(yè)園同時具備了在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設(shè)備產(chǎn)線。二期產(chǎn)業(yè)園項目的建成投產(chǎn)，將大規(guī)模啟用譽鴻錦自研和國產(chǎn)扶持的半導(dǎo)體設(shè)備，如MOCVD、蝕刻機等關(guān)鍵設(shè)備。
目前譽鴻錦自研的MOCVD設(shè)備已經(jīng)上線并進入最后的調(diào)試階段，經(jīng)過中試線成熟生產(chǎn)工藝調(diào)整，其后續(xù)建設(shè)、調(diào)試和量產(chǎn)的速度會極其迅速，將進一步大幅度降低成本、提高效率。同時譽鴻錦訂購的十多臺光刻機將于明后兩年陸續(xù)到貨進廠，也將全部應(yīng)用于二期產(chǎn)業(yè)園的生產(chǎn)線。
此外，在上個月召開的GaN器件品牌發(fā)布會上，譽鴻錦正式發(fā)布了全功率段的GaN器件，包括100V、650V、900-1200V等產(chǎn)品，能應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域。“公司GaN器件已經(jīng)做到1200V，并正在研發(fā)1700V、3100V等產(chǎn)品。”譽鴻錦董事長閆懷寶表示。
除了GaN HEMT器件外，譽鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個GaN SBD器件，以及900V藍寶石基GaN晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關(guān)注。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)良特性。但其功率器件相比于硅基器件，滲透率偏低。隨著國內(nèi)的GaN產(chǎn)能不斷提升，對提高GaN滲透率起著積極作用。
從市場競爭格局來看，目前功率元件市場由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm等占據(jù)。通過譽鴻錦的IDM產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，有望改變這一局勢，給行業(yè)帶來新的機遇與活力。
化合物半導(dǎo)體市場Rick整理
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