作為全球GaN賽道重量級選手，英諾賽科的一舉一動自然都是行業(yè)關(guān)注的焦點。
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用，未來將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地，同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。
誠如英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司董事長駱薇薇所言，這并不是一棟普通的大樓，因為這棟研發(fā)大樓將承載多項GaN關(guān)鍵技術(shù)研究，大概率將成為國內(nèi)GaN材料和器件重要研發(fā)基地之一。
啟用儀式現(xiàn)場，英諾賽科還舉行了“8英寸硅基GaN芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目第二階段產(chǎn)能擴展”項目（即三期銀團）貸款簽約儀式，該項目融資貸款金額最高達13億元。
比起新研發(fā)中心的啟用，或許業(yè)內(nèi)人士更關(guān)注英諾賽科這筆貸款簽約，因為這關(guān)系到英諾賽科未來多年的擴張計劃。
技術(shù)與產(chǎn)能雙雙騰飛
自2015年12月成立以來，英諾賽科不斷加快擴張的腳步，出貨量屢屢創(chuàng)下新記錄。
公開數(shù)據(jù)顯示，截至2023年Q1，英諾賽科GaN芯片累計出貨量突破1.5億顆；截至今年8月，英諾賽科8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆；而到目前為止，英諾賽科累計出貨量已高達4億顆。出貨量一路走高的背后，是英諾賽科不斷攀升的產(chǎn)能，英諾賽科擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基GaN晶圓生產(chǎn)基地，當前產(chǎn)能達15000片/月。
英諾賽科直言已做到GaN器件累積出貨數(shù)量、市場份額、量產(chǎn)交付能力等多項全球第一，與此同時，其正在持續(xù)拓展業(yè)務邊界和GaN應用領(lǐng)域。
英諾賽科GaN業(yè)務始于消費電子，戰(zhàn)果頗豐，目前已與包括OPPO、vivo、聯(lián)想、中興、榮耀等在內(nèi)的一線消費電子品牌達成合作。在快充領(lǐng)域，頭部客戶基本已采用英諾賽科產(chǎn)品，拿下眾多頭部客戶，意味著英諾賽科已經(jīng)在業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟。
英諾賽科曾多次在對外報告中表示，電動汽車、光伏及儲能等應用將支撐GaN呈現(xiàn)指數(shù)級增長，基于這一預判，英諾賽科致力于深入研究和推動GaN在更多領(lǐng)域的應用和普及。
在電動汽車領(lǐng)域，英諾賽科針對電動汽車市場開發(fā)的車規(guī)級產(chǎn)品已經(jīng)獲得激光雷達客戶采用。
在光伏領(lǐng)域，英諾賽科研發(fā)出基于直流架構(gòu)的光儲系統(tǒng)，在轉(zhuǎn)化環(huán)節(jié)使用GaN將效率提升5%，同時在尺寸上減小30%，這樣更利于系統(tǒng)集成。其中的150V產(chǎn)品是英諾賽科的明星產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的硅Mos相比，它具有導通損耗低、開關(guān)損耗低、無反向恢復損耗等優(yōu)點。
此外，相比于業(yè)界6英寸平臺，英諾賽科基于8英寸硅基GaN平臺的單片晶圓器件可以增加80%，這就意味著公司在單顆產(chǎn)品上，成本具備30%的優(yōu)勢，降本增效同樣有助于英諾賽科提升產(chǎn)品競爭力。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
不斷夯實研發(fā)與產(chǎn)能根基
盡管英諾賽科已經(jīng)確立了自身在GaN行業(yè)的地位，但在各大頭部廠商競爭日趨激烈的情況下，唯有不斷提升本公司技術(shù)壁壘，才有更大可能立于不敗之地，這也是英諾賽科全球研發(fā)中心啟用的價值。
該研究中心無論是開展大尺寸硅襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的應力控制規(guī)律與雜質(zhì)缺陷研究，還是開展8英寸硅襯底上GaN基功率電子器件的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備工藝及封裝技術(shù)的研究，都是在夯實英諾賽科賴以發(fā)展壯大的技術(shù)基礎(chǔ)。
今年以來，英諾賽科GaN業(yè)務持續(xù)向新能源汽車、光伏等高功率市場延伸，也是順應行業(yè)發(fā)展大趨勢。在低碳、綠色潮流推動下，GaN市場需求將呈現(xiàn)逐年增長的態(tài)勢。根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
GaN市場需求增勢固然能夠讓廠商受益，卻也對產(chǎn)能提出了更高要求。企業(yè)可以從兩方面積極應對，一是加速GaN器件技術(shù)迭代，二是擴充產(chǎn)能。
目前看來，英諾賽科全球研發(fā)中心將開展的硅襯底上GaN基功率電子器件的可靠性提升技術(shù)及功率集成技術(shù)研究，或許正是從性能方面助力GaN往高壓高功率方向布局。
研發(fā)先進技術(shù)的同時，產(chǎn)能建設(shè)亦不容忽視，競爭對手們近年來紛紛大手筆投資擴產(chǎn)，英諾賽科也不甘落后，這13億元貸款將在一定程度上保障英諾賽科在未來數(shù)年的擴產(chǎn)規(guī)劃。
小結(jié)
全球研發(fā)中心的全新啟用，是英諾賽科技術(shù)升級之路的一塊里程碑，未來預期將有更多先進的技術(shù)誕生于此，從而助推整個GaN產(chǎn)業(yè)步入黃金時期。而以本次貸款為起點，英諾賽科將開啟新一輪產(chǎn)能建設(shè)周期，進而有望促進國內(nèi)GaN行業(yè)更加蓬勃發(fā)展。（文：集邦化合物半導體Zac）