近日，基本半導體推出汽車級DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模塊Pcore?2，是專為新能源汽車主驅逆變器應用設計的一款高功率密度碳化硅功率模塊，產(chǎn)品型號包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。
據(jù)介紹，該產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊，采用有壓型銀燒結工藝和高性能粗銅線鍵合技術，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結構。產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點，可支持連續(xù)運行峰值結溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。
資料顯示，基本半導體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉，今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進行配合使用。
碳化硅MOSFET作為一種新型功率器件，目前已經(jīng)應用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電及儲能、高壓電網(wǎng)等領域，相較于硅基功率器件，有很多優(yōu)勢。其中，碳化硅MOSFET在高溫下仍然可以正常工作，具有更高的熱穩(wěn)定性，可用于高溫、高壓環(huán)境；碳化硅MOSFET導通電阻比硅MOSFET低得多，可以實現(xiàn)更小的導通損耗；碳化硅MOSFET采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小、重量更輕，可以提高功率器件的集成度。
目前，碳化硅MOSFET在某些方面也存在不足之處。例如，碳化硅MOSFET制造需要采用較高難度的材料和工藝，制造成本較高；其可靠性有待提高，材料、制造工藝等還有一些待解決的問題，如材料的缺陷、器件的壽命等問題。
隨著技術和工藝不斷升級，成本等問題得到一定程度的解決后，碳化硅MOSFET將會得到更廣泛的推廣應用，相關廠商也會有更多優(yōu)質產(chǎn)品問世。（集邦化合物半導體Zac整理）
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