今年5月，德國MOCVD設備商愛思強宣布擬投資建設新的創(chuàng)新研發(fā)中心，為已在準備的下一代產(chǎn)品及未來其他新產(chǎn)品提供更充足的生產(chǎn)能力，提升半導體沉積設備的研發(fā)能力。近日該項目迎來新的進度。
11月23日，愛思強宣布，創(chuàng)新研發(fā)中心在德國黑措根拉特（Herzogenrath）總部正式開始建設，項目總投資約1億歐元（約合人民幣7.6億元），項目包含1000㎡的潔凈室空間以及相關(guān)計量設備所需的額外空間。其中，潔凈室的潔凈程度可達到ISO 6級別，最高可提升至ISO 4級別。
研究中心將采用業(yè)界最新設施與技術(shù)進行MOCVD設備研發(fā)工作。第一批設備系統(tǒng)將于2024年下半年搬入研發(fā)中心內(nèi)，預計2025年初項目正式完成移交。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
愛思強方面表示，公司近期成功發(fā)布了G10新品系列，已獲得非常高的客戶需求訂單，因此公司正處于產(chǎn)量提升階段。目前，公司已進入到了下一代產(chǎn)品的研發(fā)中，新的創(chuàng)新中心將為公司團隊提供了研發(fā)下一代產(chǎn)品的能力。
據(jù)悉，愛思強近年持續(xù)加大對MOCVD技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)投入。今年，愛思強相繼發(fā)布了G10新品系列，包括用于SiC 電力電子器件生產(chǎn)的G10-SiC設備，用于Micro LED和激光器件生產(chǎn)的G10-AsP 以及用于GaN器件大規(guī)模生產(chǎn)的G10-GaN設備。
新設備性能的大幅提升，讓其獲得多個新老客戶的訂單，愛思強業(yè)績也獲得提升。今年三季度，在GaN和SiC應用領域高需求以及新產(chǎn)品G10-GaN推出的帶動下，愛思強實現(xiàn)營收1.65億歐元（約合人民幣12.97億元），同比增長86%；息稅前利潤率從Q2的26%增長至27%；毛利率提升至46%。
未來創(chuàng)新研發(fā)中心的建成，將進一步提高愛思強研發(fā)能力，提升設備新品性能，推動其在第三代半導體、Micro LED等領域發(fā)展布局，穩(wěn)固愛思強在沉積設備領域的地位。（文：集邦化合物半導體）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。