鍇威特:SiC功率器件已進入產(chǎn)業(yè)化階段

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 27 日 17:35 | 分類 功率

11月24日,蘇州鍇威特半導體股份有限公司接受投資者調(diào)研,公司就研發(fā)方向、技術(shù)儲備、產(chǎn)品布局等投資者關(guān)心的問題進行了解答。

研發(fā)方面,鍇威特表示,公司截止三季度的研發(fā)費用投入總計達2,768萬元,同比增長了70.26%,研發(fā)投入占前三季度內(nèi)營收的16.95%,同比增加7.68個百分點,研發(fā)投入增長系公司加大了功率IC和SiC MOSFET等新品研發(fā)投入。其中,在SiC功率器件方面,公司將在現(xiàn)有設(shè)計及工藝平臺基礎(chǔ)上,圍繞新能源汽車、光伏發(fā)電應用領(lǐng)域等,展開產(chǎn)品系列化研發(fā)及可靠性改善提升的研究,不斷豐富產(chǎn)品系列。

技術(shù)方面,鍇威特表示,公司在超高壓平面MOSFET、高壓超結(jié)MOSFET、SiC MOSFET等方面已取得深厚技術(shù)積累,超高壓平面MOSFET最高耐壓已達1700V,同時具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計能力,產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段,可用于新能源汽車領(lǐng)域。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

產(chǎn)品方面,鍇威特表示,公司SiC功率器件已順利實現(xiàn)產(chǎn)品布局,進入產(chǎn)業(yè)化階段,針對SiC功率器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計和生產(chǎn)工藝進行不斷探索和研發(fā)投入,已推出650V-1700V SiC MOSFET產(chǎn)品系列。未來,公司還將進一步促進第三代半導體功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)落地與技術(shù)升級。

資料顯示,鍇威特成立于2015年,專注于智能功率半導體器件與功率集成芯片設(shè)計、研發(fā)和銷售,產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及高可靠領(lǐng)域,現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復高壓MOSFET(FRMOS)、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。

2023年8月18日,鍇威特在上海證券交易所科創(chuàng)板正式掛牌上市。

鍇威特2023年第三季度報告顯示,公司2023年第三季度營收約3005.32萬元,同比減少46.40%,主要系本報告期下游市場需求下滑所致;歸屬于上市公司股東的凈利潤約-752.22萬元,同比減少168.84%,主要系公司銷量有所下降、研發(fā)費用增長所致。

目前,盡管鍇威特業(yè)績表現(xiàn)不佳,但隨著其SiC功率器件進入產(chǎn)業(yè)化階段,疊加新能源汽車、光伏能源、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展帶動SiC功率器件需求上漲,鍇威特有望迎來業(yè)績拐點。(集邦化合物半導體Zac整理)

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