牛津儀器?(Oxford Instruments)?宣布旗下用于GaN HEMT 器件生產(chǎn)的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設(shè)備獲得多家日本代工廠的大量訂單。
這些設(shè)備將支持高增長的GaN電力電子和射頻市場，其中消費(fèi)類快速充電和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用是GaN電力電子應(yīng)用的最前沿，而 5G/6G 通信應(yīng)用則是射頻市場的前沿應(yīng)用。
Oxford Instruments的ALD技術(shù)可提供高通量、低損傷等離子處理，同時提高薄膜和界面質(zhì)量，主要面向GaN HEMT器件制造商。
Oxford Instruments用于p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產(chǎn)認(rèn)證，并將低損傷蝕刻特性和此前與LayTec AG合作的端點(diǎn)檢測技術(shù)Etchpoint所擁有的高準(zhǔn)確性相結(jié)合。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
Etchpoint可以從標(biāo)準(zhǔn)高速蝕刻處理自動切換到低損傷ALE，以提高的器件可靠性。此外，ALE 還能以?±0.5 nm 的高精度實(shí)現(xiàn)具有臨界目標(biāo)深度的部分AlGaN凹槽蝕刻，從而實(shí)現(xiàn)下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能。這些技術(shù)集中在一個自動處理裝置上，在真空的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)多腔處理，從而有可能提高器件性能，并以更低的成本每天生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)晶圓。
“日本主要電力電子和射頻市場的GaN HEMT 產(chǎn)量大幅提升，我們通過擴(kuò)大現(xiàn)有和新客戶的安裝基礎(chǔ)而從中受益。看到針對 GaN 表面等離子體預(yù)處理而優(yōu)化的 ALD 解決方案以及帶有Etchpoint技術(shù)的ALE在日本和全球領(lǐng)先的GaN HEMT制造商中得到應(yīng)用，我們感到非常興奮。公司完整的GaN HEMT解決方案旨在處理客戶的復(fù)雜設(shè)備難題，并提高設(shè)備產(chǎn)量、可靠性和正常運(yùn)行時間，”O(jiān)xford Instruments GaN產(chǎn)品經(jīng)理Aileen O’Mahony說。
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，在電力電子和射頻通信領(lǐng)域有著優(yōu)異的表現(xiàn)。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。
ALD設(shè)備有助于實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件，推動GaN技術(shù)在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
目前，中國擁有最大的ALD設(shè)備市場，其次是韓國、北美、日本、歐洲。而全球ALD設(shè)備市場由外資企業(yè)占據(jù)大頭，如Veeco Instruments、Encapsulix、CVD Equipment、Oxford Instruments、ASM International等國外龍頭大廠。
反觀國內(nèi)，目前有微導(dǎo)納米、中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、理想晶延半導(dǎo)體等公司正在研發(fā)和生產(chǎn)ALD設(shè)備。這些國內(nèi)廠商在ALD設(shè)備領(lǐng)域取得了一定的進(jìn)展，但與國際領(lǐng)先企業(yè)相比，仍存在一定的差距。
面對功率半導(dǎo)體下游市場的強(qiáng)勁需求，國內(nèi)企業(yè)想要降低擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)險，考慮到地緣政治影響，設(shè)備國產(chǎn)化勢在必行，且國內(nèi)市場廣闊，設(shè)備技術(shù)升級潛在動力強(qiáng)勁。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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