近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。
據(jù)介紹，AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標志。試驗項目包含如高溫反偏、溫度循環(huán)、高加速應力、高溫高濕反偏等18項測試，每項都是針對車用分立器件可能遭遇的環(huán)境來設計，用于驗證電子元器件能否滿足各種嚴苛的應用條件、能否經(jīng)受住長期的高能量沖擊和高頻率開關。
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加上此前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝?SiC?SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導入階段。
芯塔電子主要給客戶提供第三代半導體功率器件和應用整體解決方案，產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、SiC功率模塊等，可用于光伏儲能、高端電源、新能源汽車、充電樁等清潔能源領域。
通過此次認證，芯塔電子躋身成為國內(nèi)少數(shù)多款SiC功率器件產(chǎn)品取得車規(guī)級認證的廠商之列，同時也意味著芯塔電子的市場競爭力再度提高了一個臺階。（文：化合物半導體Rick整理）
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