積塔半導體牽手安建半導體,共推溝槽型SiC器件開發(fā)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 30 日 18:10 | 分類 企業(yè)

在與英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達半導體、上海韋矽微、比亞迪半導體、上海貝嶺等國內(nèi)外知名企業(yè)牽手后,積塔半導體合作伙伴陣營近日再次擴容。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

2023年12月28日,“中國半導體教父”、現(xiàn)任積塔半導體執(zhí)行董事張汝京博士、積塔半導體總經(jīng)理周華博士一行到訪寧波安建半導體有限公司(以下簡稱安建半導體)。張汝京等一行參觀了安建半導體模塊產(chǎn)線,了解了安建的模塊產(chǎn)品類型、下游客戶和出貨產(chǎn)能情況。雙方就安建半導體在積塔的產(chǎn)品需求和后續(xù)產(chǎn)品開發(fā)項目進行了探討和總結(jié),并對以下合作達成一致:加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅(SiC)MOS器件開發(fā),并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOS器件開發(fā);馬上啟動基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產(chǎn)品開發(fā)。

在SiC器件方面,積塔半導體早在2020年就布局了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC產(chǎn)線,目前已覆蓋JBS和MOSFET等,建成了自主知識產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。

2022年,積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目,新增固定資產(chǎn)投資預計超過260億元。二期項目建成后,積塔半導體的產(chǎn)能將得到較大提升,實現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產(chǎn)品等汽車芯片量產(chǎn),預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產(chǎn)能。

此次與積塔半導體就SiC器件開發(fā)達成合作的安建半導體,在業(yè)內(nèi)也有一定的實力。成立于2021年7月的安建半導體,是一家半導體功率器件廠商。成立不到三年時間,安建半導體已完成3輪融資,其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。

具體來看,安建半導體B輪融資的投資方包括超越摩爾投資、弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資、金建誠投資、萬有引力資本等眾多機構(gòu),募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設(shè)。

從本次合作情況來看,雙方開發(fā)項目將由平面型SiC MOS器件轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS器件,或與溝槽型SiC MOS器件優(yōu)勢有關(guān)。

據(jù)悉,量產(chǎn)溝槽型SiC MOS器件的廠商普遍認為,相比平面型結(jié)構(gòu),溝槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有較強優(yōu)勢。羅姆是率先轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS的公司,而英飛凌并沒有選擇進入平面結(jié)構(gòu)市場,而是直接選擇了溝槽結(jié)構(gòu),此外,電裝的溝槽型SiC MOS也已正式商用。(集邦化合物半導體Zac整理)

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