近日，碳化硅（SiC）相關設備廠商中微公司、SiC功率器件廠商華潤微和氮化鎵（GaN）功率芯片公司納微半導體相繼公布了2023年度業(yè)績。
中微公司2023年實現(xiàn)營收62.64億元，凈利潤同比增加52.67%
2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。
關于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導體設備市場發(fā)展及公司產品競爭優(yōu)勢。營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%的主要原因：2023年收入增長和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤較上年同期增加約2.72億元。2023年非經常性損益約5.94億元，較上年同期的2.50億元增加約3.44億元。非經常性損益的變動主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約4.06億元。
值得注意的是，公司開發(fā)的包括SiC功率器件、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設備已經取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。
華潤微2023年實現(xiàn)營收99.01億元，凈利潤同比下降43.45%
2月28日，華潤微公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收99.01億元，同比下降1.59%；實現(xiàn)利潤總額16.87億元，同比下降36.39%；實現(xiàn)歸母凈利潤14.80億元，同比下降43.45%。
關于業(yè)績下滑原因，華潤微表示，影響經營業(yè)績的主要因素包括市場景氣度較低，同時公司加大研發(fā)投入力度，兩條12英寸線、封測基地等新業(yè)務逐步開展，整體期間費用有所增長。
今年初，華潤微在接受調研時表示，公司目前SiC和GaN晶圓線均已穩(wěn)定量產，SiC JBS、SiC MOS性能達到國際先進水平，在工業(yè)和汽車領域為較多標桿客戶批量出貨。據(jù)華潤微介紹，公司包含SiC MOS在內的車規(guī)級產品及模塊產品已向頭部整車廠商及汽車零部件Tier1供應商進行供貨。近兩年，公司超億顆產品已上車。
納微半導體2023年實現(xiàn)營收7950萬美元，虧損同比收窄
2月29日，納微半導體公布截止2023年12月31日的第四季度和全年未經審計財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導體2023財政年度總收入達到7950萬美元，同比增長109%；2023年的GAAP毛利率為39.1%，2022年為31.5%；2023年的非GAAP毛利率為41.8%，2022年為40.8%；本財政年度的GAAP營運虧損為1.181億美元，2022年為1.236億美元；本財政年度的非GAAP營運虧損為4,030萬美元，2022年為4,120萬美元。
2023年第四季度公司總收入2,610萬美元，同比增長111%，環(huán)比增長19%；2023年第四季度的GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為32.3%；2023年第四季度的非GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為42.1%。本季度的GAAP營運虧損為2680萬美元，2022年第四季度為3120萬美元，2023年第三季度為2860萬美元；本季度的非GAAP營運虧損為970萬美元，2022年第四季度為1240萬美元，2023年第三季度為870萬美元。
作為一家功率芯片公司，納微半導體正在將SiC和GaN技術引入新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等多個領域。
在新能源汽車領域，納微半導體引入新的GaNSafe?技術以及新的Gen-3 Fast SiC技術，推動了電動汽車車載和路邊充電樁的需求增長。公司基于SiC的車載充電器已在今年投入生產，客戶包括極氪、沃爾沃和Smart等電動汽車品牌。
在光儲充領域，納微半導體與美國前五大光伏設備制造商中的三家持續(xù)加大合作，用GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術取代硅，全球前10大光伏制造商中，大多數(shù)已使用納微SiC技術，預計光伏領域納微半導體GaN的采用將在2024年底逐漸增加。
在數(shù)據(jù)中心領域，新的GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術以及納微專用設計中心已設計完成了突破性的4.5kW CRPS，實現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度，以滿足AI智能數(shù)據(jù)中心不斷增長的功耗需求。
值得一提的是，納微GaN功率芯片已經被設計用于一家主要衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)設備的地面終端企業(yè)，將于2024年下半年逐步投產。（集邦化合物半導體Zac整理）
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