3月2日，拓荊科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“拓荊科技”）發(fā)布公告稱，公司基于整體戰(zhàn)略布局及經(jīng)營(yíng)發(fā)展的需要，為加快產(chǎn)能規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)布局，擬投資建設(shè)“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目”。
據(jù)公告披露，該項(xiàng)目建設(shè)周期預(yù)計(jì)為4 年（最終以實(shí)際開展情況為準(zhǔn)）。該項(xiàng)目擬在沈陽(yáng)市渾南區(qū)購(gòu)置土地建設(shè)新的產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫(kù)房、測(cè)試實(shí)驗(yàn)室等。該產(chǎn)業(yè)化基地建成后，將進(jìn)一步提高公司的產(chǎn)能，以支撐公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品未來(lái)的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動(dòng)公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)，提升公司整體競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力。
拓荊科技表示，此次建設(shè)新項(xiàng)目，出于兩點(diǎn)考慮：
一是符合國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略，鞏固公司行業(yè)地位。
二是有利于公司把握市場(chǎng)需求，抓住市場(chǎng)機(jī)遇。
該項(xiàng)目計(jì)劃總投資金額約為人民幣110,000.00 萬(wàn)元（最終項(xiàng)目投資總額以實(shí)際投入為準(zhǔn)），其中以變更用途的募集資金投入人民幣 25,000.00 萬(wàn)元，其余項(xiàng)目資金人民幣 85,000.00 萬(wàn)元由拓荊科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）及公司全資子公司拓荊創(chuàng)益（沈陽(yáng)）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拓荊創(chuàng)益”）自籌。
關(guān)于變更用途的募集資金，公司擬調(diào)減首發(fā)募投項(xiàng)目“先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目”募集資金承諾投資總額人民幣20,000.00萬(wàn)元，同時(shí)調(diào)減超募資金投資項(xiàng)目“半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的募集資金承諾投資總額人民幣5,000.00萬(wàn)元，合計(jì)人民幣25,000.00萬(wàn)元用于投入本項(xiàng)目。
在此次變更后，公司首次公開發(fā)行募集資金的募投項(xiàng)目情況如下：
據(jù)悉，拓荊科技作為國(guó)內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。
值得一提的是，拓荊科技近日公布了其2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)。報(bào)告顯示，2023年度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入270,497.40萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)58.60%；歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn) 66,465.69萬(wàn)元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長(zhǎng)80.38%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)31,330.27萬(wàn)元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長(zhǎng)75.96%。
提前布局高端半導(dǎo)體設(shè)備，符合國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，幫助企業(yè)在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)一定先機(jī)的同時(shí)，或在一定程度上助力國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向高端化。
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