近日，江蘇天科合達和愛仕特分別就招標和中標方面?zhèn)鱽砹讼ⅰ?/p>
天科合達SiC晶片二期擴產項目招標
3月4日，據(jù)江蘇省公告資源交易平臺披露，江蘇天科合達半導體有限公司碳化硅（SiC）晶片二期擴產項目自控智能化工程正向外公開招標。
公告顯示，江蘇天科合達將花費約4256萬元完成公司SiC晶片二期擴產項目自控智能化工程，主要對弱電系統(tǒng)、FMCS系統(tǒng)進行改造調試。
據(jù)了解，該項目總投資8.3億元，項目建筑面積約4.9萬平方米，新建廠房及配套設施，購置安裝單晶生長爐及配套的多線切割機，外圓及平面磨床，雙磨研磨機等設備共計499臺（套）以及配套動力輔助設備設施，8月份正式投產，年產SiC襯底16萬片。
愛仕特中標中國電氣裝備集團SiC模塊開發(fā)項目
3月1日，愛仕特宣布，公司于日前成功中標中國電氣裝備集團旗下“SiC模塊封裝設計與工藝開發(fā)技術服務項目”。
愛仕特指出，此次中標，公司將提供SiC功率模塊封裝設計與工藝開發(fā)技術服務，在項目工期內交付基于愛仕特1200V/1700V SiC芯片的 62mm封裝定制開發(fā)功率模塊。雙方將以此次合作為起點，深化和擴大在電氣、儲能等領域的合作，愛仕特將根據(jù)需求持續(xù)批量交付高質量SiC功率器件，共拓新能源市場。
據(jù)介紹， 該款62mm 封裝SiC功率模塊采用成熟的半橋拓撲設計，具有高功率密度，允許使用相同的結構尺寸來增加逆變器輸出功率。該模塊具有出色的溫度循環(huán)能力和175°C的連續(xù)工作溫度（Tvjop）,可靠性高。其內部的對稱環(huán)流設計，使得產品具有更低寄生參數(shù)及開關特性。
文：集邦化合物半導體Rick整理
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