英諾賽科擬赴港上市

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類 企業(yè)

3月5日,據(jù)《路透社》旗下IFR報(bào)道,英諾賽科正計(jì)劃最早于今年內(nèi),在香港進(jìn)行IPO,融資規(guī)模約3億美元。

消息還指出,英諾賽科正與中金公司、招銀國(guó)際就上市一事進(jìn)行合作。

據(jù)悉,英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而在過去的2023年里,英諾賽科可謂碩果累累。

產(chǎn)品及技術(shù)方面,2023年英諾賽科基于8英寸硅基氮化鎵的研發(fā)平臺(tái),不斷更新迭代,共推出了46款新產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋從消費(fèi)家電到數(shù)據(jù)中心、光伏與儲(chǔ)能,再到汽車電子,不斷為終端應(yīng)用注入新能量。

其中,車規(guī)級(jí)產(chǎn)品INN100W135A-Q已通過AEC-Q101認(rèn)證。據(jù)悉,該產(chǎn)品適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、高功率密度DC-DC變換器和D類音頻等。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

此外,2023年11月,英諾賽科全球研發(fā)中心正式啟用,研發(fā)中心將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地,同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究,全面提升氮化鎵材料與器件的整體競(jìng)爭(zhēng)力。

市場(chǎng)開拓方面,英諾賽科的產(chǎn)品已在消費(fèi)類(快充、手機(jī)、LED)、汽車激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域的多個(gè)應(yīng)用中大批量交付。2024年2月23日,英諾賽科官方表示,公司于2023年累計(jì)出貨量超5億顆,目前市占率達(dá)30%以上,位居全球第一。

產(chǎn)能方面,英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,現(xiàn)擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,產(chǎn)能達(dá)到每月15000片,并將在未來(lái)逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。英諾賽科表示,公司是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。(集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理)

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