近日，據(jù)“獨(dú)墅湖科創(chuàng)區(qū)發(fā)布”官微消息，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目已于2024年1月15日取得竣工驗(yàn)收備案證。
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據(jù)悉，該項(xiàng)目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片。
據(jù)此前消息，2022年7月底，蘇州獨(dú)墅湖科教創(chuàng)新區(qū)發(fā)布了晶湛半導(dǎo)體GaN外延片年產(chǎn)新增10000片項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)第一次公示。根據(jù)公示，晶湛半導(dǎo)體彼時(shí)正在進(jìn)行“蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項(xiàng)目”環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。
2022年11月初，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目舉行封頂儀式。該項(xiàng)目于2021年12月2日奠基開工，聚焦GaN外延片的研發(fā)生產(chǎn)。晶湛半導(dǎo)體官方消息顯示，預(yù)期項(xiàng)目建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料和微顯示材料生產(chǎn)基地。
作為GaN外延材料廠商，晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，擁有先進(jìn)的GaN外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)GaN外延材料解決方案。據(jù)稱，晶湛半導(dǎo)體是目前國際上唯一可供應(yīng)12英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。
自2012年成立以來，晶湛半導(dǎo)體已完成多達(dá)8輪融資，其中包括2022年3月的B+輪融資、2022年12月的C輪融資以及2023年12月的C+輪，3輪融資資金均為數(shù)億元，投資方包括蔚來資本、美團(tuán)龍珠、高瓴資本等眾多機(jī)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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