近日，合計(jì)投資91.8億元的芯粵能和晶旭半導(dǎo)體兩個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目同時(shí)披露了最新進(jìn)展。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
芯粵能SiC芯片制造項(xiàng)目加速一期產(chǎn)能爬坡
在這兩個(gè)項(xiàng)目當(dāng)中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項(xiàng)目是廣東“強(qiáng)芯工程”重大項(xiàng)目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
據(jù)此前報(bào)道，這是國(guó)內(nèi)唯一一個(gè)專注于車(chē)規(guī)級(jí)、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的SiC芯片制造項(xiàng)目。
從該項(xiàng)目進(jìn)度來(lái)看，2023年1月，廣東省能源局發(fā)布芯粵能“面向車(chē)規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見(jiàn)，原則同意該項(xiàng)目節(jié)能報(bào)告。
2023年3月底，芯粵能一期項(xiàng)目已經(jīng)試投產(chǎn)，計(jì)劃2024年12月底達(dá)產(chǎn)。在一期達(dá)產(chǎn)的同時(shí)，芯粵能將啟動(dòng)二期項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2026年達(dá)產(chǎn)。芯粵能預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值40億元，二期達(dá)產(chǎn)后合計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)100億元。
2023年6月，芯粵能表示其車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片產(chǎn)線已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，包括1200V 16毫歐/35毫歐等一系列車(chē)規(guī)級(jí)和工控級(jí)SiC芯片產(chǎn)品，各方面測(cè)試數(shù)據(jù)良好，陸續(xù)交付多家主機(jī)廠和客戶送樣驗(yàn)證。芯粵能稱已簽約COT客戶10余家，并即將完成4家客戶規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)。
近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長(zhǎng)邵永華介紹，目前整個(gè)工廠正在擴(kuò)產(chǎn)爬坡，預(yù)計(jì)今年年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預(yù)留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片的能力。
在芯粵能SiC芯片制造項(xiàng)目當(dāng)中，無(wú)塵車(chē)間于2022年11月正式啟用，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)1萬(wàn)片產(chǎn)能，車(chē)規(guī)級(jí)和工控級(jí)芯片成功流片并送樣，即將完成車(chē)規(guī)認(rèn)證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國(guó)大部分SiC芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。
晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)8月主體落成
近日，據(jù)上杭融媒消息，晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進(jìn)行地基施工中。該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。
據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目于2023年12月份開(kāi)建，目前已經(jīng)完成了整個(gè)樁基地下工程部分，正在做樁基測(cè)試部分。預(yù)計(jì)在4月底5月初完成主體生產(chǎn)廠房封頂，8月份整個(gè)項(xiàng)目的主體工程落成。
該負(fù)責(zé)人表示，晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目主要生產(chǎn)氧化鎵基（超光鏡）材料濾波器芯片，首批產(chǎn)線規(guī)劃實(shí)現(xiàn)400KK的年產(chǎn)能。
據(jù)了解，作為一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商，晶旭半導(dǎo)體核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已取得多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新。
值得一提的是，今年2月初，晶旭半導(dǎo)體完成億級(jí)人民幣戰(zhàn)略融資，由睿悅控股集團(tuán)獨(dú)家投資，助力其實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。