4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
8英寸N型SiC復(fù)合襯底（source：青禾晶元）
青禾晶元介紹，對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益，因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認的發(fā)展趨勢。
但SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導(dǎo)致成本無法有效降低。而先進SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術(shù)一同推進SiC材料成本的降低。
青禾晶元認為，本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。
據(jù)悉，半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)可以提高碳化硅良率，而青禾晶元則是國內(nèi)少數(shù)幾家使用該技術(shù)大幅提高碳化硅良率的公司之一，極具市場稀缺性。
青禾晶元成立于2020年7月，公司聚焦于新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)制造，產(chǎn)品主要面向第三代半導(dǎo)體、三維集成、先進封裝、功率模塊集成等應(yīng)用領(lǐng)域，現(xiàn)已完成晶圓鍵合設(shè)備、Chiplet設(shè)備及功率模塊鍵合設(shè)備等多款設(shè)備的開發(fā)及量產(chǎn)，以及SiC、POI等鍵合集成襯底材料的規(guī)?；慨a(chǎn)。
值得一提的是，青禾晶元還擁有國內(nèi)首條新型復(fù)合襯底量產(chǎn)線。2023年5月19日，青禾晶元天津新型鍵合集成襯底量產(chǎn)示范線通線活動在濱海高新區(qū)圓滿舉辦。該產(chǎn)線是國內(nèi)首條新型復(fù)合襯底量產(chǎn)線，于2022年6月簽約落戶，總投資9.9億，首期產(chǎn)能規(guī)模3萬片，未來計劃達到15萬片；襯底尺寸目前以6英寸為主，未來會轉(zhuǎn)到8英寸。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理?）
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