4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
8英寸N型SiC復合襯底（source：青禾晶元）
青禾晶元介紹，對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益，因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認的發(fā)展趨勢。
但SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本無法有效降低。而先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本的降低。
青禾晶元認為，本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望加速8英寸SiC襯底量產進程，為產業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。
據悉，半導體異質集成技術可以提高碳化硅良率，而青禾晶元則是國內少數幾家使用該技術大幅提高碳化硅良率的公司之一，極具市場稀缺性。
青禾晶元成立于2020年7月，公司聚焦于新型半導體材料的研發(fā)生產制造，產品主要面向第三代半導體、三維集成、先進封裝、功率模塊集成等應用領域，現已完成晶圓鍵合設備、Chiplet設備及功率模塊鍵合設備等多款設備的開發(fā)及量產，以及SiC、POI等鍵合集成襯底材料的規(guī)?；慨a。
值得一提的是，青禾晶元還擁有國內首條新型復合襯底量產線。2023年5月19日，青禾晶元天津新型鍵合集成襯底量產示范線通線活動在濱海高新區(qū)圓滿舉辦。該產線是國內首條新型復合襯底量產線，于2022年6月簽約落戶，總投資9.9億，首期產能規(guī)模3萬片，未來計劃達到15萬片；襯底尺寸目前以6英寸為主，未來會轉到8英寸。（集邦化合物半導體 Winter整理?）
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