4月17日，賓夕法尼亞州立大學(xué)宣布，學(xué)校已和摩根先進(jìn)材料公司（下文簡(jiǎn)稱“摩根公司”）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進(jìn)碳化硅（SiC）的研發(fā)。
source：賓夕法尼亞大學(xué)
該協(xié)議包括一項(xiàng)為期五年、耗資數(shù)百萬(wàn)美元的新計(jì)劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟的創(chuàng)始成員，并向賓夕法尼亞州立大學(xué)提供碳化硅開(kāi)發(fā)所需的石墨材料和解決方案，供內(nèi)部和外部合作伙伴使用。
據(jù)了解，該碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟（SCIA）是一個(gè)由行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和政府支持組成的聯(lián)盟，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅晶體技術(shù)和培養(yǎng)相關(guān)勞動(dòng)人才。美國(guó)國(guó)防大學(xué)研究?jī)x器計(jì)劃(DURIP)獎(jiǎng)項(xiàng)為SCIA的建成提供了關(guān)鍵支持。此外，SCIA中的碳化硅晶體中心（SiC3）還將獲得了來(lái)自安森美每年80萬(wàn)美元，累計(jì)800萬(wàn)美元（折合人民幣約5800萬(wàn)元）的資助。
賓夕法尼亞大學(xué)指出，碳化硅晶體在極端溫度（高于1982攝氏度）下在物理蒸汽輸送（PVT）爐中生長(zhǎng)，晶體在爐中生長(zhǎng)過(guò)程中要利用大量碳來(lái)保持溫度。與家庭中的隔熱材料類似，摩根制造的碳材料充當(dāng)隔熱層，可減少熱量損失并能在長(zhǎng)達(dá)一周的過(guò)程中維持熔爐運(yùn)行所需的電量。
摩根公司首席技術(shù)官Thomas Connolly表示：“與賓夕法尼亞州立大學(xué)達(dá)成的新協(xié)議無(wú)縫銜接了我們的目標(biāo)，即將公司打造成碳化硅市場(chǎng)的關(guān)鍵參與者——我們不僅在提高自己產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)能力，而且還在為市場(chǎng)上高價(jià)值產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)做出貢獻(xiàn)?！?/p>
賓夕法尼亞州立大學(xué)內(nèi)的新碳化硅生長(zhǎng)設(shè)施由賓夕法尼亞州立大學(xué)高級(jí)研究副校長(zhǎng)辦公室和美國(guó)空軍科學(xué)研究辦公室資助，預(yù)計(jì)將于2025年初全面投入使用。該大樓將容納一個(gè)模擬整個(gè)碳化硅晶體批量生長(zhǎng)供應(yīng)鏈的試驗(yàn)規(guī)模設(shè)施。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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