近日，半導(dǎo)體材料大廠Soitec與兩家企業(yè)展開(kāi)SiC領(lǐng)域合作。
Tokai Carbon將為Soitec供應(yīng)多晶6 & 8英寸SiC襯底
5月22日，Soitec宣布，公司與碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商Tokai Carbon已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)和供應(yīng)專為 Soitec SmartSiC晶圓設(shè)計(jì)的多晶碳化硅（SiC）襯底。
Soitec指出，SiC是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體，SmartSiC工程襯底通過(guò)提供卓越的制造和成本效率以及改善的環(huán)境足跡，加速了碳化硅在電動(dòng)汽車、工業(yè)和智能電網(wǎng)應(yīng)用中的采用。
通過(guò)此次合作，Tokai Carbon將向 Soitec 供應(yīng) 150 mm（6英寸）和 200 mm（8英寸）多晶SiC晶圓，兩家公司將利用其先進(jìn)的研發(fā)能力來(lái)增強(qiáng)SmartSi生態(tài)系統(tǒng)。Tokai Carbon在多晶碳化硅（polySiC）方面的先進(jìn)技術(shù)和制造能力，以及 Soitec對(duì)符合 Soitec SmartSiC 的多晶碳化硅粗晶圓規(guī)格的使用權(quán)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將為全球SmartSiC晶圓產(chǎn)量的提升做出戰(zhàn)略貢獻(xiàn)。
據(jù)悉，SmartSiC是基于該公司SmartCut工藝的專有Soitec技術(shù)。在該工藝中，高質(zhì)量單晶（mono-SiC）“供體”晶圓的薄層被分離并粘合到低電阻率多晶（poly-SiC）“柄”晶圓上，由此產(chǎn)生的襯底可提高器件性能和制造良率。該工藝允許對(duì)單個(gè)供體晶圓進(jìn)行多次重復(fù)使用，從而顯著降低成本和相關(guān)的二氧化碳排放。
Soitec將為X-FAB提供SmartSiC晶圓
同日，Soitec還宣布已與SiC晶圓代工龍頭 X-FAB合作。Soitec將為X-FAB位于美國(guó)得克薩斯州拉伯克的工廠提供SmartSiC晶圓 ，用于生產(chǎn)SiC功率器件。
Soitec表示，此次合作是在成功完成評(píng)估階段之后進(jìn)行的，在評(píng)估階段，SiC功率器件在X-FAB德克薩斯州工廠的150mm（6英寸）? SmartSiC 晶圓上制造。Soitec將通過(guò)聯(lián)合供應(yīng)鏈委托模式，為 X-FAB 的客戶提供獲得 SmartSiC襯底的便捷途徑。
在這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中，Soitec正在其位于格勒諾布爾（法國(guó)）附近的伯寧新工廠提高SmartSiC襯底的產(chǎn)量。X-FAB正在增加拉伯克工廠的SiC器件產(chǎn)能。SmartSiC襯底的使用能讓X-FAB的客戶能夠設(shè)計(jì)出更小的器件，從而通過(guò)增加每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量來(lái)提高效率。
值得一提的是，Soitec日前公布了2024財(cái)年第四季度營(yíng)收及全年業(yè)績(jī)。2024年第四季度收入達(dá)到3.37億歐元，與創(chuàng)紀(jì)錄的23年第四季度相比，按固定匯率計(jì)算下降了2%。2024財(cái)年收入為9.78億歐元，按固定匯率和周長(zhǎng)以及報(bào)告基準(zhǔn)計(jì)算均下降了10%，符合預(yù)期。2024財(cái)年凈利潤(rùn)達(dá)到1.78億歐元，利潤(rùn)率為18%。
針對(duì)SiC領(lǐng)域，Soitec表示，與前幾個(gè)季度相比， 公司用于未來(lái)幾代電動(dòng)汽車的 SmartSiC技術(shù)在24財(cái)年第四季度產(chǎn)生的收入貢獻(xiàn)進(jìn)一步增加，但同比略有下降，這是因?yàn)?Soitec 在 23 財(cái)年同季度公司收到了與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）合作協(xié)議的首期付款。
Soitec表示，公司的SmartSiC路線圖在技術(shù)、工業(yè)、供應(yīng)和商業(yè)等各個(gè)方面都進(jìn)展順利。今年2月，Soitec公司又獲得了第二家客戶。Soitec公司專門生產(chǎn)SmartSiC襯底的新工廠預(yù)計(jì)將于25財(cái)年下半年投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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