7月8日晚間，天岳先進發(fā)布公告稱，其擬以簡易程序向特定對象發(fā)行股票，募集資金總額不超過3億元（含本數(shù)），扣除相關發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規(guī)級SiC襯底制備技術提升項目。
source：天岳先進
定增預案顯示，本次項目主要研發(fā)方向包括SiC生長熱場仿真、SiC單晶應力控制、SiC單晶微缺陷控制、導電型SiC電阻率控制等。
公告顯示，天岳先進本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費用及設備購置費。項目建設周期為24個月，包括廠房凈化間裝修改造、設備采購安裝、新技術和工藝試驗等三個階段。
據(jù)悉，由6英寸向8英寸升級，是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進表示，根據(jù)測算，單片8英寸SiC襯底的芯片產(chǎn)出量大約是6英寸的2倍，4英寸的4倍，并可部分使用硅基功率芯片產(chǎn)線裝備，可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片（芯片）為例，8英寸SiC襯底上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%，同時邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%，8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。
近年來，天岳先進持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年，天岳先進通過自主擴徑實現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸SiC襯底的制備。隨著國際市場對8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加，其在2023年已經(jīng)實現(xiàn)8英寸SiC襯底的批量銷售。
與此同時，天岳先進不斷進行8英寸產(chǎn)品的技術創(chuàng)新，推進包括導電型SiC用粉料高效合成、高質(zhì)量導電型SiC晶體生長、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術等研發(fā)項目。天岳先進目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底，是國際上較少掌握了液相法制備技術的企業(yè)之一。
項目方面，據(jù)上海臨港管委會官網(wǎng)信息顯示，天岳先進的“碳化硅半導體材料二期（一階段）項目”的環(huán)評信息已于近日公示。
項目概況顯示，天岳先進通過利用現(xiàn)有廠區(qū)預留區(qū)域增加生產(chǎn)設備開展8英寸SiC晶片生產(chǎn)線建設，配套新增公輔設施和環(huán)保設施。為滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求，將對現(xiàn)有已批項目部分工藝、設備進行改造。（集邦化合物半導體Zac整理）
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