7月19日，據(jù)“上饒市人民政府發(fā)布”官微消息，今年二季度，投資25億元的萬年晶第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目已正式投產(chǎn)。據(jù)悉，萬年晶半導(dǎo)體是江西首家藍(lán)寶石基功率器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售廠商，主營(yíng)第三代半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管芯片，可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、汽車電子等領(lǐng)域。
source：上饒市人民政府發(fā)布
據(jù)此前消息，萬年晶第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投產(chǎn)后將成為江西省首個(gè)量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠，年產(chǎn)量達(dá)20萬片。
近期，氮化鎵產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，在合作、產(chǎn)品、項(xiàng)目等方面頻頻傳出新動(dòng)態(tài)。
合作方面，5月28日，佳恩半導(dǎo)體與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。此次合作，雙方將共同研究開展氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺(tái)開展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)氮化鎵功率器件特點(diǎn)，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。
5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國(guó)臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能氮化鎵解決方案方面加強(qiáng)合作。
產(chǎn)品方面，5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款氮化鎵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅(qū)動(dòng)器）、INS2001FQ（半橋驅(qū)動(dòng)器）和INS2001W（半橋驅(qū)動(dòng)器），可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
6月19日，韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開發(fā)。
項(xiàng)目方面，今年4月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建氮化鎵外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸氮化鎵外延片的生產(chǎn)能力。
5月13日，埃特曼半導(dǎo)體全資子公司埃特曼（廈門）光電科技有限公司舉行了埃特曼半導(dǎo)體廈門外延工廠開業(yè)儀式。根據(jù)集美產(chǎn)業(yè)投資官微消息，該工廠是埃特曼半導(dǎo)體打造的第二個(gè)示范外延工廠，將生產(chǎn)高性能、低成本的氮化鎵外延片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。