據韓媒報道，Apro Semicon 24日宣布，公司已開發(fā)出8英寸1200V硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，并預計今年年底大規(guī)模投產。
報道稱，繼2021年引進對8英寸GaN的發(fā)展至關重要的MOCVD設備之后，Apro Semicon一直在推動GaN外延片的開發(fā)。經過約三年的研發(fā)，該公司成功開發(fā)出了8英寸1200V GaN外延片。據介紹，該產品的可承受的最高電壓（擊穿電壓）為1600V，可實現高效功率轉換，而且外延片厚度和均勻性的質量已提高到99%。
據悉，Apro Semicon最初計劃開發(fā)GaN外延片是為了供應給母公司Apro，用于其二次電池活化設備。然而，由于最近快速充電器、電源和汽車電子等產品對GaN功率半導體的需求擴大，該公司決定拓寬目標市場，并開始與多家系統(tǒng)制造商展開全面合作。
除功率半導體外，Apro Semicon還在開發(fā)用于射頻(RF)器件的外延片。據報道，該公司正在與韓國國內射頻半導體公司進行“GaN on SiC”外延片的樣品測試。
在融資方面，繼去年成功獲得50億韓元（折合人民幣約2600萬元）的A輪投資后，Apro Semicon今年正在進行500億韓元（折合人民幣約2.6億元）的B輪融資，用以加速GaN外延片的大規(guī)模生產。
Apro Semicon在建的龜尾GaN外延工廠（source：Apro Semicon）
Apro Semicon在最近獲得了約100億韓元（折合人民幣約5200萬元）的融資，這筆款項計劃用來引進新的MOCVD設備，以進一步投資其位于龜尾的GaN外延片量產工廠。公司的龜尾工廠已于今年10月竣工，并將于年底投入運營。這里生產的外延片將與DB HiTeK（東部高科）等代工廠合作，生產GaN半導體芯片。（集邦化合物半導體Morty整理）
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