9月24日晚間，聞泰科技發(fā)布公告稱，其全資子公司安世半導體擬投資境外基金，最高出資500萬歐元（約4000萬人民幣）。
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公告顯示，聞泰科技全資子公司安世半導體擬投資境外基金Amadeus APEX Technology EuVECA GmbH & Co KG，并承諾初始資本投資為385萬歐元，后續(xù)將根據(jù)實際情況追加投資，總投資額不超過500萬歐元。
聞泰科技表示，標的基金的重點投資方向包括人工智能和機器學習、量子技術/光子學、移動性與空間創(chuàng)新、自主系統(tǒng)與機器人技術，以及其他新興科技領域（如新型材料）。安世半導體參與的重點仍然是其核心競爭力相關領域，旨在增強為上述技術領域的基本應用開發(fā)基本半導體解決方案的經(jīng)驗。
目前，聞泰科技主營業(yè)務分為半導體與產(chǎn)品集成兩大方向。其中，半導體業(yè)務采用IDM垂直整合制造模式，產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。
在化合物半導體領域，2023年，聞泰科技實現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)品D-mode系列產(chǎn)品工業(yè)和消費領域的銷售，同時D-mode產(chǎn)品通過所有測試認證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費級的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，以及碳化硅MOS產(chǎn)品線的建立，推動產(chǎn)品進入1200V高壓市場，拓展新的增長空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。
作為聞泰科技全資子公司，安世半導體在今年6月宣布，計劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體，并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎設施。
為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從今年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產(chǎn)。
同月，安世半導體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導體指出，下一個里程碑將是建設碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT8英寸現(xiàn)代化高性價比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預計在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。（集邦化合物半導體Zac整理）
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