山東2個(gè)氮化鎵襯底項(xiàng)目有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 22 日 17:50 | 分類(lèi) 功率

在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代,半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景,正受到業(yè)界的關(guān)注。近期,山東省的濟(jì)南和臨沂兩地,在氮化鎵襯底方面取得了新進(jìn)展。

濟(jì)南:新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目

據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消息,10月17日下午,在濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)上,山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“晶鎵半導(dǎo)體”)與濟(jì)南晶谷研究院簽約,入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目。

濟(jì)南氮化鎵項(xiàng)目

source:濟(jì)南晶谷研究院

據(jù)悉,晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)成果,開(kāi)展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

資料顯示,濟(jì)南晶谷研究院是濟(jì)南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機(jī)構(gòu),旨在面向國(guó)家所需和產(chǎn)業(yè)前沿,集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機(jī)構(gòu)總投入10億元,于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉,濟(jì)南晶谷研究院成立以來(lái),先后引進(jìn)2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),分別為中晶芯源、晶啟光電,孵化2家小微企業(yè),分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技,并成立研究院全資子公司濟(jì)南晶谷科技有限公司。

臨沂:加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露,近日,山東臨沂市委書(shū)記任剛到高新廠房項(xiàng)目調(diào)研,視察了一個(gè)氮化鎵新材料項(xiàng)目。

資料顯示,該項(xiàng)目總投資5億,占地304畝,主要建設(shè)廠房(含超凈間)、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等,新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線、晶片檢測(cè)線,10條晶片切割加工生產(chǎn)線,10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線,10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線,10條圖形襯底制備生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項(xiàng)目于今年6月開(kāi)工,預(yù)計(jì)2025年12月完工。

項(xiàng)目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊(duì)合作,引進(jìn)具有獨(dú)立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底,廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域,建成后將實(shí)現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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