在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，芯聯(lián)集成與南京國(guó)博電子發(fā)布的最新財(cái)報(bào)，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，營(yíng)收大幅提升且減虧明顯；南京國(guó)博電子雖業(yè)績(jī)承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方面積極進(jìn)取，多個(gè)芯片產(chǎn)品成功開發(fā)并交付，產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目技術(shù)升級(jí)穩(wěn)步推進(jìn)。
芯聯(lián)集成：業(yè)績(jī)上揚(yáng)，SiC業(yè)務(wù)成增長(zhǎng)引擎
根據(jù)芯聯(lián)集成2024年度業(yè)績(jī)快報(bào)，公司營(yíng)業(yè)總收入達(dá)到65.09億元，同比增長(zhǎng)22.25%。盡管仍處于虧損狀態(tài)，但凈利潤(rùn)為-9.68億元，同比減虧50.57%，這一積極變化表明公司盈利能力正在逐步改善。
目前，碳化硅業(yè)務(wù)已成為芯聯(lián)集成的第二增長(zhǎng)曲線，2024年該公司SiC業(yè)務(wù)收入達(dá)10.16億元，較上年增長(zhǎng)超100%。2025年，在碳化硅產(chǎn)業(yè)邁向8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，芯聯(lián)集成率先開啟8英寸碳化硅生產(chǎn)，在技術(shù)升級(jí)的賽道上搶占先機(jī)。2025年1月，李強(qiáng)總理的調(diào)研，體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尤其是碳化硅領(lǐng)域的重視，為芯聯(lián)集成注入了強(qiáng)大的發(fā)展動(dòng)力。
此外，值得注意的是，在車載領(lǐng)域，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)收入約32.53億元，同比增長(zhǎng)約41.02%。公司深度布局整車約70%的汽車芯片平臺(tái)數(shù)量，以功率芯片及模組、傳感類產(chǎn)品為主，提供完整代工方案，深度融入車規(guī)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
展望2025年，芯聯(lián)集成預(yù)計(jì)新平臺(tái)、新應(yīng)用的推廣以及新產(chǎn)能的投產(chǎn)，將推動(dòng)模擬IC、模組、SiC及MEMS業(yè)務(wù)顯著增長(zhǎng)。隨著新型電源需求的不斷攀升，芯聯(lián)集成有望步入高速增長(zhǎng)期。預(yù)計(jì)毛利率將穩(wěn)步提升，公司計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)全面盈利。
南京國(guó)博電子：業(yè)績(jī)承壓，氮化鎵業(yè)務(wù)蓄勢(shì)待發(fā)
南京國(guó)博電子2024年度業(yè)績(jī)快報(bào)顯示，營(yíng)收25.91億元，較上年同期下降27.36%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)5.14億元，下降21.42%；利潤(rùn)總額5.14億元，下降21.35%；歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)4.85億元，下降20.06%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)4.77億元，下降16.52%。
據(jù)悉，該公司營(yíng)收下滑的主要原因是有源相控陣T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少。
面對(duì)業(yè)績(jī)下滑，南京國(guó)博電子正在氮化鎵業(yè)務(wù)上發(fā)力。一方面，加強(qiáng)與上下游企業(yè)的合作，完善氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈布局，降低生產(chǎn)成本；另一方面，該公司不斷加大研發(fā)投入，提升氮化鎵射頻芯片的性能和可靠性，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性射頻芯片的需求。
據(jù)悉，在2024年上半年，南京國(guó)博電子成功開發(fā)完成WiFi、手機(jī)等射頻放大類芯片產(chǎn)品，其性能達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。自2024年下半年起，多個(gè)射頻開關(guān)被客戶引入并開始批量交付，同時(shí)DiFEM相關(guān)芯片也實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。針對(duì)5G通感基站應(yīng)用，在2024年全年持續(xù)進(jìn)行基站射頻芯片的性能優(yōu)化工作，目前產(chǎn)品規(guī)格已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
在產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目技術(shù)升級(jí)方面，從2024年年初啟動(dòng)的射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，計(jì)劃在未來(lái)2-3年內(nèi)，重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)毫米波和太赫茲T/R組件設(shè)計(jì)技術(shù)能力、工藝制造技術(shù)能力等的進(jìn)一步提升，同時(shí)也將致力于移動(dòng)通信射頻芯片和微波毫米波芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、在片測(cè)試能力的提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Emma整理）
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