在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點。近期，芯聯(lián)集成與南京國博電子發(fā)布的最新財報，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實現(xiàn)高速增長，營收大幅提升且減虧明顯；南京國博電子雖業(yè)績承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方面積極進取，多個芯片產(chǎn)品成功開發(fā)并交付，產(chǎn)業(yè)化項目技術(shù)升級穩(wěn)步推進。
芯聯(lián)集成：業(yè)績上揚，SiC業(yè)務(wù)成增長引擎
根據(jù)芯聯(lián)集成2024年度業(yè)績快報，公司營業(yè)總收入達到65.09億元，同比增長22.25%。盡管仍處于虧損狀態(tài)，但凈利潤為-9.68億元，同比減虧50.57%，這一積極變化表明公司盈利能力正在逐步改善。
目前，碳化硅業(yè)務(wù)已成為芯聯(lián)集成的第二增長曲線，2024年該公司SiC業(yè)務(wù)收入達10.16億元，較上年增長超100%。2025年，在碳化硅產(chǎn)業(yè)邁向8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵節(jié)點，芯聯(lián)集成率先開啟8英寸碳化硅生產(chǎn)，在技術(shù)升級的賽道上搶占先機。2025年1月，李強總理的調(diào)研，體現(xiàn)了國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尤其是碳化硅領(lǐng)域的重視，為芯聯(lián)集成注入了強大的發(fā)展動力。
此外，值得注意的是，在車載領(lǐng)域，芯聯(lián)集成實現(xiàn)收入約32.53億元，同比增長約41.02%。公司深度布局整車約70%的汽車芯片平臺數(shù)量，以功率芯片及模組、傳感類產(chǎn)品為主，提供完整代工方案，深度融入車規(guī)芯片國產(chǎn)化進程。
展望2025年，芯聯(lián)集成預(yù)計新平臺、新應(yīng)用的推廣以及新產(chǎn)能的投產(chǎn)，將推動模擬IC、模組、SiC及MEMS業(yè)務(wù)顯著增長。隨著新型電源需求的不斷攀升，芯聯(lián)集成有望步入高速增長期。預(yù)計毛利率將穩(wěn)步提升，公司計劃在2026年實現(xiàn)全面盈利。
南京國博電子：業(yè)績承壓，氮化鎵業(yè)務(wù)蓄勢待發(fā)
南京國博電子2024年度業(yè)績快報顯示，營收25.91億元，較上年同期下降27.36%；營業(yè)利潤5.14億元，下降21.42%；利潤總額5.14億元，下降21.35%；歸屬于母公司所有者的凈利潤4.85億元，下降20.06%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤4.77億元，下降16.52%。
據(jù)悉，該公司營收下滑的主要原因是有源相控陣T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少。
面對業(yè)績下滑，南京國博電子正在氮化鎵業(yè)務(wù)上發(fā)力。一方面，加強與上下游企業(yè)的合作，完善氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈布局，降低生產(chǎn)成本；另一方面，該公司不斷加大研發(fā)投入，提升氮化鎵射頻芯片的性能和可靠性，以滿足市場對高性能、高可靠性射頻芯片的需求。
據(jù)悉，在2024年上半年，南京國博電子成功開發(fā)完成WiFi、手機等射頻放大類芯片產(chǎn)品，其性能達到國內(nèi)先進水平。自2024年下半年起，多個射頻開關(guān)被客戶引入并開始批量交付，同時DiFEM相關(guān)芯片也實現(xiàn)量產(chǎn)交付。針對5G通感基站應(yīng)用，在2024年全年持續(xù)進行基站射頻芯片的性能優(yōu)化工作，目前產(chǎn)品規(guī)格已達到國際領(lǐng)先水平。
在產(chǎn)業(yè)化項目技術(shù)升級方面，從2024年年初啟動的射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項目，計劃在未來2-3年內(nèi)，重點實現(xiàn)毫米波和太赫茲T/R組件設(shè)計技術(shù)能力、工藝制造技術(shù)能力等的進一步提升，同時也將致力于移動通信射頻芯片和微波毫米波芯片設(shè)計研發(fā)、在片測試能力的提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Emma整理）
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