在近期舉辦的第四屆中國（南京）新賽道大會上，《中國新賽道體系發(fā)展報(bào)告2025》發(fā)布，報(bào)告提出2025年“年度十大潛力新賽道”，分別是生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導(dǎo)體、新型儲能、低空經(jīng)濟(jì)、量子科技、腦機(jī)接口與6G。
未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺專項(xiàng)政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。
科研攻堅(jiān)方面，依托南京大學(xué)、東南大學(xué)、南京理工大學(xué)等高校，南京持續(xù)推進(jìn)碳化硅器件、氮化鎵外延片等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
其中，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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