中國臺灣SiC廠商#格棋化合物半導(dǎo)體?近期透露了旗下SiC項目建設(shè)進展。目前，格棋正積極部署8英寸SiC晶圓產(chǎn)能，預(yù)計至2025年底，8英寸SiC長晶爐將擴增至百臺規(guī)模，并將正式進軍日本、歐洲與北美等國際市場，進一步強化全球戰(zhàn)略布局。
據(jù)官網(wǎng)資料顯示，格棋成立于2022年，公司長期關(guān)注第三代化合物半導(dǎo)體的市場需求和工藝技術(shù)開發(fā)，公司團隊成員在該領(lǐng)域擁有超過10年的經(jīng)驗。2023年5月，格棋團隊采用物理氣相傳輸（PVT）法成功開發(fā)出了8英寸N型晶體，顯示出其在長晶技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。
2024年10月，格棋舉行了其位于桃園中壢區(qū)新工廠的落成典禮，該廠總投資金額達6億新臺幣（約1.33億人民幣），規(guī)劃6英寸碳化硅襯底月產(chǎn)能5000片。此前預(yù)計在2024年第四季度達到滿產(chǎn)。此外，新廠還將在年底前安裝20臺8英寸長晶爐及100臺6英寸長晶爐，進一步提升產(chǎn)能。
格棋在新廠落成儀式上與臺灣中科院及日本三菱達成合作。與中科院的合作將聚焦于高頻通訊用碳化硅組件的開發(fā)，為5G/B5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)提供關(guān)鍵組件。與日本三菱的合作則致力于擴大日本消費類和車用市場的SiC產(chǎn)品布局。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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