12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”、“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”、“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”等多項(xiàng)碳化硅（SiC）器件相關(guān)專利，申請(qǐng)日期均為2023年10月27日。
“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316982A。
該專利摘要顯示，隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內(nèi)設(shè)有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設(shè)有向上伸入正面金屬層內(nèi)的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側(cè)部設(shè)有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開(kāi)關(guān)性能，降低開(kāi)關(guān)損耗。
“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316985A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層，所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的溝槽；還包括：PW區(qū)，位于所述溝槽處；NP區(qū)，從所述溝槽的頂部向下延伸，包裹于所述PW區(qū)內(nèi)；PP區(qū)，設(shè)置在所述溝槽處，位于所述NP區(qū)的下方；柵氧層，設(shè)置在相鄰溝槽之間，位于所述碳化硅漂移層的頂面；Poly層，設(shè)置在所述柵氧層的頂面；隔離層，設(shè)置在所述Poly層上，并從側(cè)部向下延伸至NP區(qū)；本發(fā)明一定程度上減小了N 漂移層所帶來(lái)的電阻，從而可降低體二極管的導(dǎo)通電阻，減少其在續(xù)流過(guò)程中產(chǎn)生的損耗。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316986A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設(shè)有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)有P型區(qū)；若干所述P型區(qū)之間設(shè)有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內(nèi)部設(shè)有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設(shè)有肖特基結(jié)接觸金屬；所述肖特基結(jié)接觸金屬的上方設(shè)有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導(dǎo)電類型均為N型。本發(fā)明可以通過(guò)形成兩層不同摻雜濃度的外延層，來(lái)降低器件外延層的導(dǎo)通電阻，進(jìn)一步提高器件通流能力。
“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316983A。
該專利摘要顯示，一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法，涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重?fù)诫s類型的襯底，即為N+型SiC半導(dǎo)體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm 2；N+型襯底具有兩個(gè)表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm 2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N 型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm 2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過(guò)光刻掩膜，進(jìn)行P型摻雜形成P Well阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡(jiǎn)單，效果顯著，可以應(yīng)用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117317017A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)和PP區(qū)一；相鄰所述PW區(qū)之間設(shè)有源級(jí)處溝槽，所述源級(jí)處溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的PP區(qū)二；所述碳化硅漂移層頂面的端部和中部分別設(shè)有從下而上依次設(shè)置的柵氧層、Poly層和隔離層；所述隔離層從側(cè)部向下延伸與NP區(qū)連接；本發(fā)明通過(guò)在碳化硅MOSFET中形成溝槽體二極管，使得體二極管導(dǎo)通從N型漂移層開(kāi)始，提高了體二極管的導(dǎo)通能力，并且有效避免了由于電子和空穴的復(fù)合現(xiàn)象而導(dǎo)致的晶格缺陷蔓延，從而減小雙極退化現(xiàn)象引起的器件性能退化。
“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316984A。
該專利摘要顯示，一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入?yún)^(qū)；所述N型注入?yún)^(qū)的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設(shè)置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的P型注入?yún)^(qū)；所述終端溝槽的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的P型主結(jié)和若干間隔設(shè)置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設(shè)有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場(chǎng)氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復(fù)雜程度的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低了器件的正向?qū)▔航怠?/p>
近年來(lái)，揚(yáng)杰科技大力布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2022年6月，揚(yáng)杰科技以2.95億元收購(gòu)中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標(biāo)的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，揚(yáng)杰科技又以2.94億元收購(gòu)楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)。
2023年6月，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。與此同時(shí)，揚(yáng)杰科技計(jì)劃與揚(yáng)州市邗江區(qū)簽署《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元，該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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