近日，江蘇南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)總投資10億元的國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項(xiàng)目正在進(jìn)行地下室主體結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計(jì)明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。
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據(jù)悉，國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由南京國(guó)博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺(tái)套。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬(wàn)平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬(wàn)平方米。
上述一期項(xiàng)目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設(shè)施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項(xiàng)目將重點(diǎn)補(bǔ)充射頻集成電路封測(cè)制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計(jì)、制造能力，打造成為寬禁帶半導(dǎo)體器件及模塊供應(yīng)商、5G通信技術(shù)國(guó)內(nèi)發(fā)展先行者。
據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所發(fā)布的信息顯示，國(guó)博電子是其下屬控股公司，專(zhuān)業(yè)從事集成電路、射頻微波模塊及子系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，具有30多年射頻微波集成電路、模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。公司產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、微波毫米波通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)，打破了國(guó)外的技術(shù)壟斷。
2018年，國(guó)博電子在南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)啟動(dòng)了上述“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化”建設(shè)項(xiàng)目，建成后，將形成年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片、射頻基礎(chǔ)電路5億只、射頻模塊1000萬(wàn)只的設(shè)計(jì)制造能力，滿足5G及未來(lái)移動(dòng)通信基站和終端市場(chǎng)需求。
此前有媒體報(bào)道稱(chēng)，上述“年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片”，為“6英寸工藝氮化鎵（GaN）射頻功率器件制造”。
2019年，國(guó)博電子曾表示，公司在基站和終端的小信號(hào)產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實(shí)現(xiàn)了批量化量產(chǎn)，目前正在進(jìn)入的領(lǐng)域主要有GaN大功率器件，以及毫米波基站多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。
值得一提的是，江寧開(kāi)發(fā)區(qū)是國(guó)內(nèi)較早布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的開(kāi)發(fā)園區(qū)，2023年全年，園區(qū)新引進(jìn)英諾賽科、博銳半導(dǎo)體、芯干線等一批產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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