3月11日，瞻芯電子和蓉矽半導(dǎo)體均有SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
瞻芯電子再推3款車(chē)規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子表示，公司開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片，具備業(yè)界較低的損耗水平，且驅(qū)動(dòng)電壓為15V~18V，兼容性更好。
這3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時(shí)因TO247-4封裝具有開(kāi)爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅(qū)動(dòng)電壓尖峰。這3款產(chǎn)品的型號(hào)及主要參數(shù)如下表：
source：瞻芯電子
瞻芯電子指出，公司旗下第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺(tái)是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開(kāi)發(fā)的， 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對(duì)比上一代產(chǎn)品，通過(guò)優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%，能進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率。
瞻芯電子采用TO247-4封裝的車(chē)規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，因其具備高速開(kāi)關(guān)，且低損耗，以及良好的驅(qū)動(dòng)兼容性等優(yōu)秀特性，而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、車(chē)載直流變換器（DC/DC）、車(chē)載充電機(jī)(OBC)和開(kāi)關(guān)電源。
蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證
蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
蓉矽半導(dǎo)體指出，本次考核由第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)——廣電計(jì)量進(jìn)行。
蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V，AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過(guò)了HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，同時(shí)對(duì)于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問(wèn)題，蓉矽的產(chǎn)品通過(guò)了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應(yīng)用場(chǎng)景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車(chē)、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車(chē)規(guī)級(jí)可靠性要求。
蓉矽半導(dǎo)體表示，現(xiàn)階段行業(yè)中，AEC-Q101只是車(chē)規(guī)的門(mén)檻，如何保證交給客戶的每一個(gè)批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的才是考驗(yàn)。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計(jì)理念，全供應(yīng)鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件。
蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V，最大可持續(xù)電流達(dá)75A。
產(chǎn)品特點(diǎn)如下：
·采用溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；
·采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)輸入電容的充放電速度，降低器件開(kāi)關(guān)損耗；
·采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng)，提高器件耐壓能力；采用開(kāi)爾文源的PAD設(shè)置，降低封裝中的雜散電感；
· VDD=800V時(shí)，短路耐受時(shí)間>3μs，TO-247-4封裝測(cè)試開(kāi)啟損耗為635μJ；
·在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)品；所對(duì)比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為T(mén)O-247-3L，驅(qū)動(dòng)電壓采用各廠商推薦值，測(cè)試結(jié)果采用標(biāo)準(zhǔn)化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對(duì)比結(jié)果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競(jìng)品中處于較好水平。
source：蓉矽半導(dǎo)體
蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC和直流充電樁模塊時(shí)，可有效減少器件數(shù)量、簡(jiǎn)化系統(tǒng)、降低損耗、提高效率，推動(dòng)提高充電速度、實(shí)現(xiàn)續(xù)航突破。
來(lái)源：瞻芯電子、蓉矽半導(dǎo)體
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