近日，關于半導體封裝項目，國內(nèi)外均有消息傳來。
10億元！浙江桐鄉(xiāng)新增一氮化硅項目
據(jù)桐鄉(xiāng)發(fā)布官微消息，5月31日，總投資10億元的氮化硅材料項目成功簽約落地桐鄉(xiāng)。
此次簽約項目選址崇福鎮(zhèn)融杭經(jīng)濟區(qū)，總投資10億元，供地150畝，主要生產(chǎn)氮化硅高純粉體及其制品，其中一期項目計劃投資5億元。項目全部達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值6億元。
資料顯示，氮化硅廣泛應用于新能源汽車、半導體、光伏、醫(yī)療器材、太陽能電池、手機底板、航空航天等領域，是新能源汽車、風電、光電、半導體等領域的關鍵零部件，也是第三代半導體碳化硅芯片最匹配的封裝材料。
馬來西亞富樂華功率半導體陶瓷基板項目封頂
5月31日，馬來西亞富樂華功率半導體陶瓷基板項目封頂儀式正式啟動。
據(jù)了解，2023年7月，富樂華宣布在馬來西亞投資5億馬幣（折合人民幣約7.7億元）用來建設6萬平米的現(xiàn)代化辦公樓、生產(chǎn)廠房和支持系統(tǒng)，規(guī)劃建成2條年產(chǎn)600萬片DCB和AMB功率半導體陶瓷載板生產(chǎn)線。該項目自2023年11月2日在馬來西亞新山正式開工，經(jīng)過200余天的建設，如期實現(xiàn)了項目主體結構封頂。
富樂華是FerroTec集團的子公司，專注于功率半導體覆銅陶瓷載板（AMB、DCB、DPC、DBA、TMF）以及載板制作供應鏈材料的集研發(fā)、制造、銷售。
陶瓷覆銅載板是高壓大功率IGBT模塊的重要組成部件，既具有陶瓷的高導熱、高電氣絕緣、較高機械強度等特性，又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)良焊接性能，還能制作出各種圖形，是適用于SiC芯片、大功率IGBT模塊、半導體制冷制熱器件的封裝材料。
富樂華表示，這一項目的建設，是為了滿足廣大客戶日益增長的需求并謀求集團公司在功率半導體業(yè)務板塊的全球化戰(zhàn)略發(fā)展與布局。（集邦化合物半導體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。