涉及研磨/長晶,碳化硅領(lǐng)域新增2起合作

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:25 | 分類 企業(yè)

集邦化合物半導(dǎo)體觀察到,近日,安森美、PVA TePla等企業(yè)分別就碳化硅(SiC)加工/長晶領(lǐng)域達成了新的合作。

安森美與Entegris開展合作

8月7日,材料加工商Entegris宣布,公司已與安森美達成長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款,Entegris將為安森美提供一系列用于碳化硅(SiC)應(yīng)用的同步優(yōu)化CMP解決方案。

source:Entegris

Entegris指出,SiC作為新一代半導(dǎo)體雖然在功率器件等領(lǐng)域有著不俗表現(xiàn),但其作為一種高硬度的材料,天然密度高且化學(xué)惰性強,晶圓表面加工難度大。

Entegris材料解決方案總裁Dann Woodland表示:“Entegris認(rèn)識到SiC技術(shù)具有光明且長遠的前景,包括電動汽車、電力設(shè)備、可再生能源、無線通信和云計算在內(nèi),許多行業(yè)的制造商越來越依賴SiC技術(shù)。公司寬泛的CMP解決方案組合有助于安森美等SiC晶圓制造商以高產(chǎn)量和低缺陷率拋光此類晶圓?!?/p>

PVA TePla收購Scientific Visual 25%的股份

8月7日,SiC設(shè)備廠商PVA TePle宣布,公司已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系,并收購了其25%的股份(價格并未披露),以進一步加強雙方在SiC材料相關(guān)的合作。

通過收購Scientific Visual的股份,PVA TePle集團在計量和散裝材料表征領(lǐng)域的現(xiàn)有專業(yè)技術(shù)上又有了新的突破。合作前期,PVA TePle重點將放在SiC晶體的檢測上,目的是進一步改善晶體生長過程、晶體質(zhì)量,最后提高產(chǎn)量。

通過與Scientific Visual的獨家合作,PVA TePla正在擴充其在SiC晶體缺陷檢測方面的專業(yè)知識。公司客戶能從中受益,他們能夠采用PVA TePla 解決方案生產(chǎn)SiC晶體來提高產(chǎn)量,從而獲得更高質(zhì)量的晶圓。

據(jù)悉,PVA TePla在SEMICON China 2024上推出了專供中國市場的首款SiC晶體生長設(shè)備“SiCN”。該設(shè)備采用PVT法(物理氣相傳輸工藝)生產(chǎn)SiC晶體,可兼容多種尺寸。

source:PVA TePla

隨著中國成為全球SiC產(chǎn)業(yè)的重要生產(chǎn)基地,PVA TePla集團已在中國陜西西安建立了生產(chǎn)基地、演示中心及供應(yīng)鏈中心,專注于SiC晶體和大尺寸單晶硅片的生產(chǎn)。(集邦化合半導(dǎo)體Morty整理)

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