?時代電氣、國博電子等3企發(fā)布2024半年報

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 17:58 | 分類 企業(yè)

近日,時代電氣、國博電子和燕東微披露了2024年上半年業(yè)績。其中,時代電氣實現(xiàn)營收凈利雙增長。

時代電氣:營收破百億,凈利潤同比增長30%

2024年上半年,時代電氣實現(xiàn)實現(xiàn)營業(yè)收入人民幣102.84億元,同比增長19.99%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤人民幣15.07億元,同比增長30.56%,增長主要系營業(yè)收入增長帶來毛利潤增長。

報告期內,功率半導體板塊業(yè)務方面,時代電氣已有產線滿載運營,宜興3期項目穩(wěn)步推進,預計2024年下半年投產,中低壓器件產能持續(xù)提升;

電網和軌交用高壓器件各項目持續(xù)交付;IGBT 7.5代芯片技術產品實現(xiàn)批量交付,碳化硅(SiC)產品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā),SiC產線改造完成,新能源車用SiC產品處于持續(xù)驗證階段。
報告期內,在SiC芯片技術方面,公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關鍵工藝技術;

攻克有源區(qū)柵氧電場屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴展以及高可靠性、高效率空間電場調制場環(huán)終端設計等功率芯片結構設計技術;

掌握了具有核心自主知識產權的MOSFET芯片及SBD芯片的設計與制造技術,構建了全套特色先進SiC工藝技術的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺,全電壓等級MOSFET及SBD芯片產品可應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動等多個領域。

國博電子:發(fā)布多款GaN射頻模塊產品

2024上半年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入13.02元,較上年同期減少32.21%;歸屬于上市公司股東的凈利潤2.44億元,較上年同期減少20.77%。

國博電子表示,報告期內公司營業(yè)收入同比下降32.21%:主要系報告期內T/R組件和射頻模塊業(yè)務收入減少所致。

據(jù)悉,國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關產品的研發(fā)、生產和銷售。
T/R組件領域,公司積極推進射頻組件設計數(shù)字化轉型,重點圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領域,持續(xù)開展相關關鍵技術攻關,積極推進異構集成技術產品化技術,為新一代產品開拓打下基礎。

公司積極開展T/R組件應用領域拓展,在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領域均開展了技術研發(fā)和產品開發(fā)工作,多款產品已開始交付客戶。

射頻模塊領域,上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產品。新技術持續(xù)攻關,改善產品的線性度、效率等性能。預計下半年新一代的產品開發(fā)及應用,器件綜合競爭力進一步提升。射頻芯片領域,2024年,5G基站市場整體保持平穩(wěn),5G-A通感基站試點帶動基站射頻芯片銷售增長。

新產品方面,公司為下一代基站平臺新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進中。終端射頻芯片產品持續(xù)穩(wěn)定交付,系列化新產品研發(fā)穩(wěn)步推進,積極推進基于新型半導體工藝的產品開發(fā)工作,拓展公司終端射頻芯片品類。新領域和新客戶方面積極推進ODU及衛(wèi)星通信芯片開發(fā)推廣,部分產品已進入客戶認證階段。

燕東微:預計年內累計交付硅光芯片5000片

公司2024上半年實現(xiàn)營業(yè)收入6.16億元,較上年同期下降43.10%,歸屬于母公司所有者的凈利潤-0.15億元,由盈轉虧,主要原因是市場需求發(fā)生變化,部分產品價格下降及需求下滑所致。
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報告期內,公司產品與方案板塊銷售收入3.05億元,同比減少55.06%,主要受客觀因素影響,客戶需求放緩,導致產品與方案板塊收入同比下降。

2024年上半年新增客戶百余家,累計完成了22款單片集成電路,15款混合集成電路研制,開發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺,并加大在模擬開關、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測模塊、ASIC等特種新產品方面的研制力度。

制造與服務業(yè)務板塊銷售收入2.80億元,同比減少23.45%。從2022年下半年度開始,外部市場環(huán)境持續(xù)低迷,尤其是消費類電子市場產品價格波動加大,進入2024年上半年以來,消費類市場逐步回暖,訂單需求實現(xiàn)小幅增長,但平均產品售價較高點仍有較大幅度降幅,導致消費類產品收入較同期仍有一定下滑。

燕東微硅光平臺分別在8英寸產線和12英寸產線均取得較大進展,其中8英寸SiN工藝平臺已實現(xiàn)量產,8英寸SOI工藝平臺完成部分關鍵器件開發(fā);12英寸SOI工藝平臺完成部分關鍵工藝開發(fā)。

2024年上半年,公司在硅光芯片制造領域實現(xiàn)了波導損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術突破,特別是在SiN工藝平臺上,成功實現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產,月產能達1000片。公司將積極拓展應用領域,擴大市場規(guī)模,月度需求超過1000片,預計年度內累計交付客戶超5000片。(集邦化合物半導體整理)

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