氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領域有了新突破。
鎵仁半導體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶
據(jù)鎵仁半導體官微消息，2024年10月，鎵仁半導體利用自主研發(fā)的第二代鑄造法技術，成功生長出超厚6英寸氧化鎵單晶，晶錠厚度可達20mm以上。
source：鎵仁半導體
據(jù)悉，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，可有效降低氧化鎵單晶襯底成本。
鎵仁半導體指出，公司采用鑄造法生成的產(chǎn)品，在同等直徑下，單晶晶錠厚度是導模法（EFG）晶錠厚度的2-3倍。單個晶錠出片量可以達到原有的3-4倍，單片成本較原來可降低70%以上。與此同時，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，更有利于制備各種晶向以及斜切角度的大尺寸襯底。
據(jù)了解，因可以實現(xiàn)大的晶體尺寸、低的缺陷密度、大的生長速度以及高的晶體質(zhì)量，導模法（EFG）常被業(yè)界采用制備氧化鎵。日本公司NCT采用導模法結合氫化物氣相外延（HVPE）技術已實現(xiàn)2英寸、4英寸襯底和外延的批量化供應。
而鎵仁半導體則采用了鑄造法，并于2023年8月制備出了4英寸氧化鎵單晶。集邦化合物半導體了解到，該鑄造法有兩個優(yōu)勢：一是采用了熔體法新路線，生長過程可控性增加，減少了貴金屬使用，降低了成本；二是生成的氧化鎵為柱狀晶，應用場景增多。
此外，制造氧化鎵單晶的方法還有垂直布里奇曼法（VB）。2023年底，NCT通過垂直布里奇曼法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶；今年10月，鎵仁半導體采用垂直布里奇曼法成功生長出2英寸氧化鎵單晶。
富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證
昨（29）日，富加鎵業(yè)宣布，公司研制了MBE外延片，并與國家重點研發(fā)計劃項目器件團隊合作，制備出了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件。
富加鎵業(yè)表示，應用公司分子束外延技術（MBE）制備的氧化鎵外延片產(chǎn)品，采用非故意摻雜層與Sn摻雜層復合的雙層外延結構，襯底材料為半絕緣型（010）Fe摻雜氧化鎵，主要應用于橫向功率器件。常規(guī)產(chǎn)品摻雜層載流子濃度為1-4E17cm-3，遷移率＞80cm2/V·s，表面粗糙度＜2 nm。
國家重點研發(fā)計劃項目合作器件團隊對該進行了初步流片驗證，后續(xù)富加鎵業(yè)將根據(jù)器件反饋結果，對外研產(chǎn)品進行新一輪迭代。（集邦化合物半導體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。