為對抗英飛凌,三菱電機擬在日本組功率半導體聯(lián)盟

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 12 月 13 日 19:54 | 分類 企業(yè)

日本三菱電機執(zhí)行長漆間啟對彭博社表示,三菱電機正在與日本國內(nèi)的同業(yè)對手洽商共組功率半導體聯(lián)盟,促進在這個驅(qū)動全球各種電子裝置的關鍵半導體制造方面的合作。

漆間啟表示,日本相關公司管理層廣泛支持彼此合作,但在行政階層卻進展不多。面對市場領導者、德國的英飛凌科技(Infineon Technologies),日本相關企業(yè)與之差距逐步拉開,壓力增大。

漆間啟在彭博的訪談中強調(diào),日本國內(nèi)競爭者太多,而功率半導體產(chǎn)業(yè)需要不斷創(chuàng)新技術,在現(xiàn)在還有機會贏得市占時,企業(yè)合作是有依據(jù)的,“我們不應該一直彼此爭斗,我們需要團結(jié)”。

目前,全球的工業(yè)技術公司競相研發(fā)出更小、更輕、效能更佳的半導體,供應給電動汽車或是其他需要高電壓的電子設備。

日本是個汽車生產(chǎn)大國,但在電動汽車推廣方面卻還在掙扎。日本政府現(xiàn)在提供2000億日圓補貼,助力公司規(guī)劃、研發(fā)新一代使用碳化硅(SiC)的功率半導體。該投資計劃,帶動了一些日本半導體大廠之間合作。

漆間啟認為,日商的結(jié)盟不僅是在產(chǎn)能方面,也要在研發(fā)和銷售上合作,才能取得一定優(yōu)勢。

集邦化合物半導體了解到,在碳化硅領域,已有日本大企開展合作。

·日本電裝與富士電機

2024年11月29日,日本電裝與富士電機共同投資的碳化硅(SiC)半導體項目獲得補貼,該項目投資額達2116億日元(折合人民幣約102億元),補助金額最高達705億日元(折合人民幣約34億元)。

據(jù)悉,在該合作項目中,電裝將負責生產(chǎn)SiC襯底,而富士電機將負責制造SiC功率器件,并將擴建所需設施。項目預計產(chǎn)能為每年31萬片/年,并計劃從2027年5月開始供貨。

·羅姆與東芝

5月,羅姆宣布將與東芝就半導體業(yè)務方面進行業(yè)務談判,預計談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強旗下半導體業(yè)務全方面合作,涵蓋技術開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、采購和物流等領域。

同月,羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導體器件,這一計劃還得到了日本政府的支持。

合作項目總投資為3883億日元(折合人民幣約180億元),其中政府將支持1294億日元(折合人民幣約60億元),占比高達三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓,而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

·日裝與三菱電機

2023年10月,Coherent宣布成立一家子公司獨立運營SiC業(yè)務,該子公司已獲得日裝和三菱電機共計10億美元的投資(分別投資5億美元)。此外,三方還簽訂了長期供貨協(xié)議,Coherent將為這兩家日本公司供應6/8英寸SiC襯底和外延片。(集邦化合物半導體Morty整理)

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