近日，中鎵半導(dǎo)體與北京大學(xué)、波蘭國家高壓實(shí)驗(yàn)室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。
實(shí)驗(yàn)使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對(duì)制備得到的GaN材料進(jìn)行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測(cè)試溫度下比較了現(xiàn)有報(bào)道的半絕緣襯底參數(shù)，使用乙烯制備的其中一個(gè)半絕緣氮化鎵樣品達(dá)到了目前報(bào)道的最高GaN體電阻率。
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據(jù)悉，中鎵半導(dǎo)體有限公司成立于2009年1月，總注冊(cè)資本1億3千萬元。公司總部位于廣東省東莞市，廠房總占地面積1萬7千平方米，是國內(nèi)首家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。
值得注意的是，今年2月，公司成功地將2英寸氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品的位錯(cuò)密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范圍，并且新產(chǎn)品已開始量產(chǎn)銷售。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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